Тиристор швидкодіючий імпульсний ТБИ573-2000 (1000–1200В) 2000 ампер

Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ573-2000

Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ573-2000 розміри

Середній струм, I_TAV	2000А
Напруга, V_DRM/V_RRM	1000–1200В
Клас за напругою, V_RRM / 100	10 – 12
ТБИ573-2000	на замовлення + –
Корпус Розміри ØD×Ød×H	PT73 112x75x26 мм
Вага	1210 г
Даташит PDF

Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ573-2000 AS ENERGI^TM у таблетковому виконанні - це напівпровідниковий швидкодіючий (імпульсний) напівпровідниковий прилад притискного типу. Цей швидкодіючий імпульсний силовий тиристор призначений для перетворення і керування постійним і змінним струмами до 2000А частотою до 10кГц в ланцюгах з напругою до 1000В – 1200В (клас за напругою від 10 до 12). Розміри тиристора ØDxØdxH - 112x75x26 мм (зовнішній діаметр корпусу X діаметр контактної поверхні X висота корпусу), вага - 1210 г.

Швидкодіючі імпульсні тиристори - це пристрої зі зменшеними значеннями t_q, t_rr, Q_rr і більш високим значенням (di_T/dt)_cr (до 2500 А/мкс), призначені для роботи на більш високих частотах (до 10 кГц). Швидкодіючі тиристори характеризуються дуже малим часом вимикання, що відрізняє їх від стандартних моделей. Вони використовуються у зварюванні, індукційному нагріванні та плавленні, електротранспорті, приводах змінного струму, ДБЖ та інших системах, що потребують короткого часу вмикання та вимикання. Тиристори мають стандартний керамічний герметичний корпус, який ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.

Анод і катод тиристора (полярність) визначаються символом на корпусі. Швидкодіючі тиристори знаходяться в корпусі таблеткового типу (капсули). Даний швидкодіючий тиристор може бути альтернативним продуктом, заміною, аналогом, еквівалентом для інших типів швидкодіючих тиристорів 1700А, 1800А, 1900А, 2000А у таблетковому корпусі.

Для охолодження під час роботи силових тиристорів на них встановлюють охолоджувачі (радіатори). Залежно від кількості тепла, що виділяється, і умов роботи напівпровідників може використовуватися як природне охолодження повітряним потоком, так і примусове.

Під час монтажу необхідно забезпечити необхідне зусилля притискання F_m специфічне для кожного типу корпусу тиристора (вказано в таблиці параметрів).

Технічні характеристики та параметри тиристора ТБИ573-2000 AS ENERGI^TM, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на швидкодіючі тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Номінали швидкодіючих імпульсних тиристорів: ТБИ573-2000-10 (2000А 1000В), ТБИ573-2000-12 (2000А 1200В).

Остаточна ціна на тиристори швидкодіючі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики швидкодіючих імпульсних тиристорів ТБИ573-2000:

Технічні характеристики швидкодіючих імпульсних тиристорів		ТБИ573-2000
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_T(AV) (T_case)	2000A (92°C) 2376A (85°C)
Повторювана імпульсна напруга у закритому стані; повторювана імпульсна зворотна напруга	V_DRM/V_RRM	1000-1200 V
Максимально допустимий середній струм у відкритому стані	I_TRMS	3140 A
Ударний струм у відкритому стані	I_TSM	65 kA
Захисний показник	I²t	21100 kA²·s
Імпульсна напруга у відкритому стані	V_TM	2.15 V
Імпульсний струм у відкритому стані	I_TM	6280 A
Порогова напруга тиристора у відкритому стані	V_T(TO)	1.456 V
Динамічне опір	r_T	0.090 mΩ
Час відключення	t_q	10-20 µs
Повторювальний імпульсний струм у закритому стані / Повторювальний імпульсний зворотний струм	I_DRM/I_RRM	300 mA
Критична швидкість зростання напруги у закритому стані	(dV_D/dt)_cr	200-2500 V/µs
Відпираюча постійна напруга управління	V_GT	3.0 V
Відпираючий постійний струм управління	I_GT	300 mA
Критична швидкість зростання струму у відкритому стані	(di_T/dt)_cr	2500 A/µs
Температура переходу	T_{vj max}	125 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.0085 ºC/W
Сила затиску	F_m ±10%	45 kN
Вага	W	1210 г
Тип корпусу, Розміри	ØDxØdxH	PT73 (T.F1) 112x75x26 mm
Рекомендовані охолоджувачі	Охолоджувачі	О173, О273
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування швидкодіючого імпульсного тиристора ТБИ573-2000:

ТБИ

573

–

2000

–

TFI

–

AS ENERGI^TM Швидкодіючий імпульсний тиристор

573

–

Тип тиристора (таблетковий).

2000

–

Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.

–

Клас за напругою V_RRM / 100 (Номінальна напруга - 1200 В).

–

Критична швидкість зростання напруги у закритому стані (dV_D/dt)_cr:

Алфавітно-цифрове кодування	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
Значення, V/µs	не стандартизовано	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

Час відключення t_q:

Алфавітно-цифрове кодування	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
Значення, V/µs	не стандартизовано	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

Час включення t_gt:

Алфавітно-цифрове кодування	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
Цифрове кодування	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
Значення, V/µs	не стандартизовано	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

Примітка: Ідентифікація груп динамічних параметрів для швидкодіючих імпульсних тиристорів (ТБИ)

Полярність (анод, катод, керуючий електрод) і розміри швидкодіючого імпульсного тиристора ТБИ573-2000:

Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ573-2000 даташит PDF:

Завантажити pdf специфікацію для тиристорів ТБИ573-2000

Технічний паспорт (ПДФ) на тиристори фазового регулювання (зразок):

При постачанні тиристорів, при необхідності, ми надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Охолоджувачі для таблеткових швидкодвючих силових тиристорів:

Охолоджувачі (радіатори) використовуються для одно- і двостороннього охолодження силових напівпровідникових приладів у таблетковому виконанні.

Тепловідводи охолоджувачів виготовлені з алюмінієвих радіаторних профілів і не потребують додаткового захисного покриття при використанні в різних кліматичних умовах.

Дізнайтеся більше про охолоджувачі: "Охолоджувачі повітрянні серії O для таблеткових пристроїв", "Охолоджувачі повітрянні серії SF", "Охолоджувачі водяні серії SS".

Фото швидкодіючого імпульсного тиристора:

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.