Тиристори швидкодіючі імпульсні ТБИ 250А – 3200А, таблетковий корпус

Таблеткові швидкодіючі імпульсні тиристори

Таблеткові силові швидкодіючі імпульсні тиристори

Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ AS ENERGI^TM у таблетковому виконанні, який також називають (ТБІ) - це напівпровідниковий прилад для швидкого перемикання притискного типу. Швидкодіючі тиристори відповідають таким вимогам, як підвищений опір di/dt, низькі втрати на перемикання, короткий час вмикання і вимикання. Регулювання і перетворення постійного і змінного струмів до 3200А в діапазоні частот до 10 кГц в ланцюгах з напругою до 4000В (в залежності від серії).

Силові таблеткові швидкодіючі (імпульсні) тиристори серії ТБИ мають наступні типи (струм): 250 А, 320 А, 400 А, 500 А, 630 А, 800 А, 1000 А, 1250 А, 1600 А, 2000 А, 2500 А, 3200 ампер.

Серії силових таблеткових швидкодіючих імпульсних тиристорів

Розшифровка маркування таблеткових швидкодіючих тиристорів

Технічний паспорт на силові таблеткові швидкодіючі тиристори

Швидкодіючі імпульсні тиристори - це тиристори з додатково нормованим зворотним зарядом відновлення Q_rr. Ці пристрої пристосовані для комутації імпульсів струму з високою швидкістю наростання фронту і великою амплітудою.

Швидкодіючі тиристори - це прилади зі зменшеними значеннями t_q, t_rr, Q_rr, ERQ призначені для роботи в режимах підвищених частот. Параметри тиристора V_TM, t_q, Q_rr взаємопов'язані, тому зменшення значень t_q і Q_rr призводить до збільшення V_TM. Швидкодіючі (імпульсні) тиристори характеризуються дуже малим часом вимикання і більшим значенням (di_T/dt)_cr (до 2500 А/мкс), що відрізняє їх від стандартних моделей. Вони використовуються у зварюванні, індукційному нагріванні та плавленні, електротранспорті, приводах змінного струму, ДБЖ та інших системах, що потребують короткого часу вмикання та вимикання. Тиристори мають стандартний керамічний герметичний корпус, який ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.

Полярність тиристора визначається символом на корпусі. На цій сторінці наведено принципові схеми і схеми швидкодіючих тиристорів з анодом, катодом і керуючим електродом (затвором). Нижче наведено технічні характеристики, довідник з нумерації деталей, полярність, розміри та рекомендовані кулери для тиристорів.

Для охолодження тиристорів використовуються повітряні та водяні охолоджувачі. Щоб електричні втрати були мінімальними, а тепловідведення максимальним, під час складання необхідно забезпечити необхідний крутний момент, так зване зусилля притискання F_m. ідповідність досягнутого зусилля притискання необхідному визначається прогином траверси. Для кращого відведення тепла тиристора при монтажі використовується теплопровідна паста, що не є обов'язковою умовою при монтажі.

Швидкодіючі імпульсні тиристори мають герметичний корпус, що ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища. Цей швидкий тиристор має таблетковий корпус з притискними контактами.

Швидкодіючі тиристори від ТОВ "АС Енерджі Глобал" мають такі особливості: низькі статичні та динамічні втрати, високі значення V_DRM/V_RRM, великий досвід використання приладів у різних галузях промисловості, діапазон напруг від 300 до 4000 В і струмів від 250 до 3200 А, високу стійкість до термічних і електричних циклів, природне або примусове повітряне охолодження.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристори швидкодіючі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Таблеткові серії швидкодіючих імпульсних тиристорів:

ТБИ323	ТБ133...ТБ933	ТБ143...ТБ643	ТБ153...ТБ453
ТБ163, ТБ263	ТБ173...ТБ873	ТБИ183	ТБИ193

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ323, ТБИ133...ТБИ933 (250А – 400А)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
250 A
ТБИ323-250	250 (85)	600-1200	3.0	180	1000	800	20-25	125	0.070	6	70	PT21 (T.A1)	42x19x14
ТБИ833-250	250 (94)	3000	5.7	162	1000	1000	50-125	125	0.040	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
ТБИ933-250	250 (92)	3000	5.4	140	200-1000	1600	63	125	0.040	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
320 A
ТБИ233-320	320 (85)	2000-2400	6.3	190	200-1000	1600	25-50	125	0.050	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
ТБИ333-320	320 (85)	1200-2400	6.3	190	200-1000	1600	25-50	125	0.050	10	180 110	PT32 T.B2	54x32x20 42x25x14
400 A
ТБИ133-400	400 (89)	1000-1200	7.0	240	200-2500	1600	10-20	125	0.040	10	110	PT31 T.B2	47x27x15 42x25x14
ТБИ233-400	400 (80)	2000-2400	6.6	210	200-2500	1600	50-63	125	0.050	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20
ТБИ333-400	400 (88)	600-1500	6.0	180	200-2500	1600	16-32	125	0.040	10	180 110	PT32 T.B2	54x32x20 42x25x14
ТБИ433-400	400 (89)	300-1200	7.0	240	200-2500	1600	10-20	125	0.040	10	180 110	T.B3 PT31	54x32x20 47x27x15
ТБИ533-400	400 (88)	1000-1500	6.0	180	200-2500	1600	16-32	125	0.040	10	180	PT32 (T.B3)	54x32x20

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ143...ТБИ643 (400A – 630A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
400 A
ТБИ143-400	400 (90)	1000-1500	8	320	200-1000	2000	10	125	0.032	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ243-400	400 (88)	2000-2200	8	320	200-1000	2000	25	125	0.034	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ343-400	400 (94)	1000-1500	9.5	450	200-2500	2000	10-20	125	0.030	15	180	T.C1	60x38x14
ТБИ443-400	400 (91)	2000-2200	9.0	400	200-2500	2000	25-50	125	0.030	15	180	T.C1	60x38x14
ТБИ543-400	400 (92)	1000-1500	9.5	450	200-2500	2000	10-20	125	0.032	15	240	PT42 (T.C2)	60x38x20
ТБИ643-400	400 (89)	2000-2200	9.0	400	200-2500	2000	25-50	125	0.034	15	240	T.C2	60x38x20
500 A
ТБИ143-500	500 (85)	1000-1500	9	405	200-1000	2000	12.5	125	0.032	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ243-500	500 (85)	2000-2200	9	400	200-1000	2000	32	125	0.034	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ343-500	500 (91)	1000-1500	11.0	600	200-2500	2000	12.5-25	125	0.030	15	240 180	PT42 T.C1	60x38x20 60x38x14
ТБИ443-500	500 (89)	2000-2200	10.0	500	200-2500	2000	32-63	125	0.030	15	180	T.C1	60x38x14
ТБИ543-500	500 (89)	1000-1500	11.0	600	200-2500	2000	12.5-25	125	0.032	15	240	T.C2	60x38x20
ТБИ643-500	500 (84)	2000-2200	10.0	500	200-2500	2000	32-63	125	0.034	15	240	T.C2	60x38x20
630 A
ТБИ143-630	630 (80)	1000-1500	10	500	200-1000	2000	16	125	0.032	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ243-630	630 (80)	2000-2200	10	500	200-1000	2000	32	125	0.034	15	280	PT43	60x35x26
ТБИ343-630	630 (84)	1000-1500	11.5	660	200-2500	2000	16-32	125	0.030	15	240 180	PT42 T.C1	60x38x20 60x38x14
ТБИ443-630	630 (85)	2000-2200	10.5	550	200-2500	2000	32-63	125	0.030	15	180	PT41 T.C1	60x38x14
ТБИ543-630	630 (81)	1000-1500	11.5	660	200-2500	1600	16-32	125	0.032	15	240	T.C2	60x38x20
ТБИ643-630	630 (75)	2000-2200	10.5	550	200-2500	2000	32-63	125	0.034	15	240	T.C2	60x38x20

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ153...ТБИ453 (700A – 1250A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
700 A
ТБИ353-700	700 (87)	3000	14	980	200-1000	2000	40-63	120	0.020	26	550	PT53 (T.D2)	75x51x26
800 A
ТБИ153-800	800 (85)	1000-1500	19	1800	200-1000	2000	10	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ253-800	800 (85)	1800-2200	17	1400	200-1000	2000	20	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ353-800	800 (80)	3000-3400	20	2000	200-2500	2000	63	125	0.0210	26	550	PT53 (T.D2)	75x51x26
1000 A
ТБИ153-1000	1000 (80)	1000-1500	20	2000	200-1000	2000	12.5	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ253-1000	1000 (75)	1800-2200	18	1600	200-1000	2000	20	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ353-1000	1000 (79)	2000-2800	21	2200	200-2500	2200	50-63	125	0.020	26	550	PT53 (T.D2)	75x51x26
ТБИ453-1000	1150 (85)	300-900	18	3600	1000	1000	12.5-20	125	0.0160	24	330	PT51	75x51x14
1250 A
ТБИ153-1250	1250 (70)	1000-1500	21	2200	200-1000	2000	16	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ253-1250	1250 (71)	1800-2200	19.5	1900	200-1000	2000	50	125	0.021	26	550	PT53	75x51x26
ТБИ353-1250	1250 (80)	600-1500	21	2400	1000	1000	20	125	0.020	26	550	PT53-1	75x51x26
ТБИ453-1250	1250 (75)	1000-1500	29	4200	200-2500	2000	16-32	125	0.0210	26	330	PT51 (T.D1)	75x51x14

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ163, ТБИ263 (1250A, 1600A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
1250 A
ТБИ163-1250	1258 (85)	2000-2400	24	5600	1000	1000	50	125	0.015	33	700	PT63	87x60x26
1600 A
ТБИ163-1600	1520 (80)	900-1400	35	6300	1000	1000	25	125	0.015	33	700	PT63	87x60x26
ТБИ263-1600	1423 (80)	1500-2000	35	6000	1000	1000	40	125	0.015	33	700	PT63	87x60x26

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ173...ТБИ873 (1600A, 2000A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
1600 A
ТБИ173-1600	1890 (85)	1500-2000	36	8000	1000	1000	40	125	0.011	45	1200	PT73	112x75x26
ТБИ273-1600	1704 (85)	2000-2400	32	8000	1000	1000	50	125	0.011	45	1200	PT73	112x75x26
ТБИ373-1600	1600 (91)	2000-2800	40	8000	200-2500	2500	50-63	125	0.010	45	1700	PT74 (T.F5)	112x75x35
ТБИ473-1600	1569 (85)	3800-4000	34	5700	200-2500	2000	125	125	0.010	45	1700	PT74 (T.F5)	112x75x35
ТБИ773-1600	1600 (96)	2000-2800	40	8000	200-2500	2500	50-63	125	0.0085	45	1210	PT73 (T.F1)	112x75x26
ТБИ873-1600	1600 (90)	3800-4000	34	5700	200-2500	2000	125	125	0.0085	45	1210	PT73 (T.F1)	112x75x26
2000 A
ТБИ173-2000	2000 (89)	900-1400	48.5	11700	200-1000	2500	10	125	0.010	45	1200 1700	PT73 PT74	112x75x26 112x75x35
ТБИ273-2000	2000 (85)	2000	40	8000	200-1000	2500	32	125	0.010	45	1700	PT74	112x75x35
ТБИ373-2000	2000 (84)	2000-2500	37.2	6900	200-1000	2500	40-63	125	0.010	45	1700	PT74 (T.F5)	112x75x35
ТБИ573-2000	2000 (92)	1000-1200	65	21100	200-2500	2500	10-20	125	0.0085	45	1210	PT73 (T.F1)	112x75x26
ТБИ673-2000	2000 (91)	2000	40	8000	200-2500	2500	32-63	125	0.0085	45	1210	PT73 (T.F1)	112x75x26
ТБИ773-2000	2000 (90)	2000-2500	40	8000	200-1000	2500	40-63	125	0.0085	45	1210	PT73 (T.F1)	112x75x26

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ183 (2500A, 3200A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
2500 A
ТБИ183-2500	2500 (80)	2000-2400	40	12000	1000	1000	40-63	125	0.008	70	1800	PT83	120x86x26
3200 A
ТБИ183-3200	3214 (70)	1000-1600	45	13500	1000	1000	25-63	125	0.008	70	1800	PT83	120x86x26

Швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ193 (2500A)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	F_m ±10%	W	Корпус	Розміри ØDxØdxH	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	kA	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	kN	g	Корпус	mm	PDF
2500 A
ТБИ193-2500	2466 (85)	2600-3000	50	11000	1000	1000	63	125	0.0065	85	2200	PT93	147x100x34

Розшифровка маркування тиристорів швидкодіючих імпульсних:

ТБИ

933

–

250

–

ТБИ

–

AS ENERGI^TM Швидкодіючий імпульсний тиристор

933

–

Тип тиристора (таблетковий).

250

–

Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.

–

Клас за напругою V_RRM / 100 (Номінальна напруга - 3000 В).

–

Критична швидкість зростання напруги у закритому стані (dV_D/dt)_crit:

Алфавітно-цифрове кодування	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
Значення, V/µs	не стандартизовано	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

Час відключення t_q:

Алфавітно-цифрове кодування	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
Значення, V/µs	не стандартизовано	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

Час включення t_gt:

Алфавітно-цифрове кодування	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
Цифрове кодування	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
Значення, V/µs	не стандартизовано	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

Примітка: Ідентифікація груп динамічних параметрів для швидкодіючих імпульсних тиристорів (ТБИ)

Технічний паспорт (ПДФ) на тиристори фазового регулювання (зразок):

При постачанні тиристорів, при необхідності, ми надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Фото швидкодіючих імпульсних тиристорів:

Поради та рекомендації щодо силових тиристорів:

Силові тиристори не повинні експлуатуватися тривалий час при граничному навантаженні за всіма параметрами. У цьому випадку коефіцієнт запасу міцності визначається необхідним ступенем надійності пристрою.

Замініть несправний силовий тиристор на тиристор, який відповідає параметрам що замінюється.

У разі роботи в середовищі з підвищеною температурою навколишнього середовища необхідно передбачити додаткове охолодження.

Для забезпечення належного тепловідведення рекомендується періодичне очищення силових тиристорів і охолоджувачів від пилу та забруднень.

Для вирівнювання струмів між силовими тиристорами, підключеними паралельно, слід використовувати індуктивні дільники струму (найчастіше скручений тороїдальний дріт). Найпоширенішими способами з'єднання є замкнутий контур, контур із загальною котушкою або силовий тиристор. Ефективність дільників струму в цьому випадку визначається перетином магнітопроводу.

Запобігання несиметрії напруги при послідовному з'єднанні силових тиристорів досягається за рахунок використання шунтуючих резисторів, підключених паралельно кожному тиристору. Вирівнювання напруги в перехідних режимах забезпечується паралельним підключенням конденсаторів до кожного тиристора.

Категорично забороняється торкатися силових тиристорів під високою напругою під час роботи.

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.