Модулі тиристорно-діодні Vishay аналоги

Тиристорно-діодні модулі - це монолітна конструкція з подвійною топологією напівпровідника (тиристор-діод). Використовуються в ланцюгах постійного і змінного струму з навантаженням до 500А і зворотною імпульсною напругою до 2000В.

Тиристорно-діодні модулі ASMTDD AS ENERGITM є заміною, еквівалентом і альтернативою напівпровідникових пристроїв для тиристорно-діодних модулів Vishay Semiconductors.

Тиристорно-діодні модулі розміщені в стандартному промисловому корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Модулі спроектовані і зібрані з використанням високонадійного притискного контакту, що відповідає специфічним вимогам оптимізації витрат і продуктивності.

Тиристорні діодні модулі використовуються в різному енергетичному обладнанні - силові та керуючі блоки, електроприводи, стабілізатори потужності, регулятори змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також як випрямлячі для перетворювачів змінного струму.

Наші силові модулі пропонуються в топології з двома пристроями для майже всіх застосувань фазового регулювання або випрямлячів.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристорні / діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристорні / діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.


Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.


Загальні характеристики тиристорно-діодних модулів Vishay та їх аналогів

Тип IT(AV)M
(TC,°C)
VRRM
VDRM
ITSM I2t VT(T0) rT Tvj max Rth(j-c) W Корпус, Розміри L×B×H Аналог
AS ENERGITM
Даташити
(технічні специф.)
A V A kA2·s V mΩ ºC K/W g mm PDF
VS-VSKH26 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH26/04 27 (85) 400 400 0.8 1.09 7.31 125 0.212 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH26/04
VS-VSKH26/06 600 ASMTDKH26/06
VS-VSKH26/08 800 ASMTDKH26/08
VS-VSKH26/10 1000 ASMTDKH26/10
VS-VSKH26/12 1200 ASMTDKH26/12
VS-VSKH26/14 1400 ASMTDKH26/14
VS-VSKH26/16 1600 ASMTDKH26/16
VS-VSKL26 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL26/04 27 (85) 400 400 0.8 1.09 7.31 125 0.212 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL26/04
VS-VSKL26/06 600 ASMTDKL26/06
VS-VSKL26/08 800 ASMTDKL26/08
VS-VSKL26/10 1000 ASMTDKL26/10
VS-VSKL26/12 1200 ASMTDKL26/12
VS-VSKL26/14 1400 ASMTDKL26/14
VS-VSKL26/16 1600 ASMTDKL26/16
VS-VSKN26 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKN26/04 27 (85) 400 400 0.8 1.09 7.31 125 0.212 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN26/04
VS-VSKN26/06 600 ASMTDKN26/06
VS-VSKN26/08 800 ASMTDKN26/08
VS-VSKN26/10 1000 ASMTDKN26/10
VS-VSKN26/12 1200 ASMTDKN26/12
VS-VSKN26/14 1400 ASMTDKN26/14
VS-VSKN26/16 1600 ASMTDKN26/16
VS-VSKH41 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH41/04 45 (85) 400 850 3.61 1.12 4.5 125 0.110 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH41/04
VS-VSKH41/06 600 ASMTDKH41/06
VS-VSKH41/08 800 ASMTDKH41/08
VS-VSKH41/10 1000 ASMTDKH41/10
VS-VSKH41/12 1200 ASMTDKH41/12
VS-VSKH41/14 1400 ASMTDKH41/14
VS-VSKH41/16 1600 ASMTDKH41/16
VS-VSKL41 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL41/04 45 (85) 400 850 3.61 1.12 4.5 125 0.110 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL41/04
VS-VSKL41/06 600 ASMTDKL41/06
VS-VSKL41/08 800 ASMTDKL41/08
VS-VSKL41/10 1000 ASMTDKL41/10
VS-VSKL41/12 1200 ASMTDKL41/12
VS-VSKL41/14 1400 ASMTDKL41/14
VS-VSKL41/16 1600 ASMTDKL41/16
VS-VSKN41 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKN41/04 45 (85) 400 850 3.61 1.12 4.5 125 0.110 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN41/04
VS-VSKN41/06 600 ASMTDKN41/06
VS-VSKN41/08 800 ASMTDKN41/08
VS-VSKN41/10 1000 ASMTDKN41/10
VS-VSKN41/12 1200 ASMTDKN41/12
VS-VSKN41/14 1400 ASMTDKN41/14
VS-VSKN41/16 1600 ASMTDKN41/16
VS-VSKH56 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH56/04 60 (85) 400 1200 7.20 1.02 3.77 125 0.088 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH56/04
VS-VSKH56/06 600 ASMTDKH56/06
VS-VSKH56/08 800 ASMTDKH56/08
VS-VSKH56/10 1000 ASMTDKH56/10
VS-VSKH56/12 1200 ASMTDKH56/12
VS-VSKH56/14 1400 ASMTDKH56/14
VS-VSKH56/16 1600 ASMTDKH56/16
VS-VSKL56 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL56/04 60 (85) 400 1200 7.20 1.02 3.77 125 0.088 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL56/04
VS-VSKL56/06 600 ASMTDKL56/06
VS-VSKL56/08 800 ASMTDKL56/08
VS-VSKL56/10 1000 ASMTDKL56/10
VS-VSKL56/12 1200 ASMTDKL56/12
VS-VSKL56/14 1400 ASMTDKL56/14
VS-VSKL56/16 1600 ASMTDKL56/16
VS-VSKN56 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKN56/04 60 (85) 400 1200 7.20 1.02 3.77 125 0.088 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN56/04
VS-VSKN56/06 600 ASMTDKN56/06
VS-VSKN56/08 800 ASMTDKN56/08
VS-VSKN56/10 1000 ASMTDKN56/10
VS-VSKN56/12 1200 ASMTDKN56/12
VS-VSKN56/14 1400 ASMTDKN56/14
VS-VSKN56/16 1600 ASMTDKN56/16
VS-VSKH71 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH71/04 75 (85) 400 1300 8.45 1.08 2.86 125 0.052 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH71/04
VS-VSKH71/06 600 ASMTDKH71/06
VS-VSKH71/08 800 ASMTDKH71/08
VS-VSKH71/10 1000 ASMTDKH71/10
VS-VSKH71/12 1200 ASMTDKH71/12
VS-VSKH71/14 1400 ASMTDKH71/14
VS-VSKH71/16 1600 ASMTDKH71/16
VS-VSKL71 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL71/04 75 (85) 400 1300 8.45 1.08 2.86 125 0.052 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL71/04
VS-VSKL71/06 600 ASMTDKL71/06
VS-VSKL71/08 800 ASMTDKL71/08
VS-VSKL71/10 1000 ASMTDKL71/10
VS-VSKL71/12 1200 ASMTDKL71/12
VS-VSKL71/14 1400 ASMTDKL71/14
VS-VSKL71/16 1600 ASMTDKL71/16
VS-VSKN71 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKNL71/04 75 (85) 400 1300 8.45 1.08 2.86 125 0.052 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN71/04
VS-VSKNL71/06 600 ASMTDKN71/06
VS-VSKNL71/08 800 ASMTDKN71/08
VS-VSKNL71/10 1000 ASMTDKN71/10
VS-VSKNL71/12 1200 ASMTDKN71/12
VS-VSKNL71/14 1400 ASMTDKN71/14
VS-VSKNL71/16 1600 ASMTDKN71/16
VS-VSKH91 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH91/04 95 (85) 400 2000 20 1.1 2.38 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH91/04
VS-VSKH91/06 600 ASMTDKH91/06
VS-VSKH91/08 800 ASMTDKH91/08
VS-VSKH91/10 1000 ASMTDKH91/10
VS-VSKH91/12 1200 ASMTDKH91/12
VS-VSKH91/14 1400 ASMTDKH91/14
VS-VSKH91/16 1600 ASMTDKH91/16
VS-VSKL91 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL91/04 95 (85) 400 2000 20 1.1 2.38 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL91/04
VS-VSKL91/06 600 ASMTDKL91/06
VS-VSKL91/08 800 ASMTDKL91/08
VS-VSKL91/10 1000 ASMTDKL91/10
VS-VSKL91/12 1200 ASMTDKL91/12
VS-VSKL91/14 1400 ASMTDKL91/14
VS-VSKL91/16 1600 ASMTDKL91/16
VS-VSKN91 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKN91/04 95 (85) 400 2000 20 1.1 2.38 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN91/04
VS-VSKN91/06 600 ASMTDKN91/06
VS-VSKN91/08 800 ASMTDKN91/08
VS-VSKN91/10 1000 ASMTDKN91/10
VS-VSKN91/12 1200 ASMTDKN91/12
VS-VSKN91/14 1400 ASMTDKN91/14
VS-VSKN91/16 1600 ASMTDKN91/16
VS-VSKH105 - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH105/04 105 (85) 400 2000 20 1.12 2.34 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKH105/04
VS-VSKH105/06 600 ASMTDKH105/06
VS-VSKH105/08 800 ASMTDKH105/08
VS-VSKH105/10 1000 ASMTDKH105/10
VS-VSKH105/12 1200 ASMTDKH105/12
VS-VSKH105/14 1400 ASMTDKH105/14
VS-VSKH105/16 1600 ASMTDKH105/16
VS-VSKL105 - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL105/04 105 (85) 400 2000 20 1.12 2.34 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKL105/04
VS-VSKL105/06 600 ASMTDKL105/06
VS-VSKL105/08 800 ASMTDKL105/08
VS-VSKL105/10 1000 ASMTDKL105/10
VS-VSKL105/12 1200 ASMTDKL105/12
VS-VSKL105/14 1400 ASMTDKL105/14
VS-VSKL105/16 1600 ASMTDKL105/16
VS-VSKN105 - Діод (спільні аноди)
VS-VSKN105/04 105 (85) 400 2000 20 1.12 2.34 125 0.04 75 ADD-A-PAK
92х23х30
ASMTDKN105/04
VS-VSKN105/06 600 ASMTDKN105/06
VS-VSKN105/08 800 ASMTDKN105/08
VS-VSKN105/10 1000 ASMTDKN105/10
VS-VSKN105/12 1200 ASMTDKN105/12
VS-VSKN105/14 1400 ASMTDKN105/14
VS-VSKN105/16 1600 ASMTDKN105/16
VS-VSKH136PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH136/04PBF 135 (85) 400 3200 51.5 1.05 1.65 125 0.007 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKH136/04PBF
VS-VSKH136/08PBF 800 ASMTDKH136/08PBF
VS-VSKH136/12PBF 1200 ASMTDKH136/12PBF
VS-VSKH136/14PBF 1400 ASMTDKH136/14PBF
VS-VSKH136/16PBF 1600 ASMTDKH136/16PBF
VS-VSKL136PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL136/04PBF 135 (85) 400 3200 51.5 1.05 1.65 125 0.007 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKL136/04PBF
VS-VSKL136/08PBF 800 ASMTDKL136/08PBF
VS-VSKL136/12PBF 1200 ASMTDKL136/12PBF
VS-VSKL136/14PBF 1400 ASMTDKL136/14PBF
VS-VSKL136/16PBF 1600 ASMTDKL136/16PBF
VS-VSKH142PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH142/04PBF 140 (85) 400 4500 102 1 1.43 125 0.0019 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKH142/04PBF
VS-VSKH142/08PBF 800 ASMTDKH142/08PBF
VS-VSKH142/12PBF 1200 ASMTDKH142/12PBF
VS-VSKH142/14PBF 1400 ASMTDKH142/14PBF
VS-VSKH142/16PBF 1600 ASMTDKH142/16PBF
VS-VSKL142PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL142/04PBF 140 (85) 400 4500 102 1 1.43 125 0.0019 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKL142/04PBF
VS-VSKL142/08PBF 800 ASMTDKL142/08PBF
VS-VSKL142/12PBF 1200 ASMTDKL142/12PBF
VS-VSKL142/14PBF 1400 ASMTDKL142/14PBF
VS-VSKL142/16PBF 1600 ASMTDKL142/16PBF
VS-VSKH162PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH162/04PBF 160 (85) 400 4870 119 0.98 1.38 125 0.0030 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKH162/04PBF
VS-VSKH162/08PBF 800 ASMTDKH162/08PBF
VS-VSKH162/12PBF 1200 ASMTDKH162/12PBF
VS-VSKH162/14PBF 1400 ASMTDKH162/14PBF
VS-VSKH162/16PBF 1600 ASMTDKH162/16PBF
VS-VSKL162PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL162/04PBF 160 (85) 400 4870 119 0.98 1.38 125 0.0030 200 INT-A-PAK
94х35х37
ASMTDKL162/04PBF
VS-VSKL162/08PBF 800 ASMTDKL162/08PBF
VS-VSKL162/12PBF 1200 ASMTDKL162/12PBF
VS-VSKL162/14PBF 1400 ASMTDKL162/14PBF
VS-VSKL162/16PBF 1600 ASMTDKL162/16PBF
VS-VSKH230PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH230-08PBF 230 (85) 800 7500 280 1.07 0.73 130 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKH230-08PBF
VS-VSKH230-12PBF 1200 ASMTDKH230-12PBF
VS-VSKH230-16PBF 1600 ASMTDKH230-16PBF
VS-VSKH230-18PBF 1800 ASMTDKH230-18PBF
VS-VSKH230-20PBF 2000 ASMTDKH230-20PBF
VS-VSKL230PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL230-08PBF 230 (85) 800 7500 280 1.07 0.73 130 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKL230-08PBF
VS-VSKL230-12PBF 1200 ASMTDKL230-12PBF
VS-VSKL230-16PBF 1600 ASMTDKL230-16PBF
VS-VSKL230-18PBF 1800 ASMTDKL230-18PBF
VS-VSKL230-20PBF 2000 ASMTDKL230-20PBF
VS-VSKH170PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH170-04PBF 170 (85) 400 5100 131 1.12 0.96 125 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKH170-04PBF
VS-VSKH170-08PBF 800 ASMTDKH170-08PBF
VS-VSKH170-10PBF 1000 ASMTDKH170-10PBF
VS-VSKH170-12PBF 1200 ASMTDKH170-12PBF
VS-VSKH170-14PBF 1400 ASMTDKH170-14PBF
VS-VSKH170-16PBF 1600 ASMTDKH170-16PBF
VS-VSKL170PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL170-04PBF 170 (85) 400 5100 131 1.12 0.96 125 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKL170-04PBF
VS-VSKL170-08PBF 800 ASMTDKL170-08PBF
VS-VSKL170-10PBF 1000 ASMTDKL170-10PBF
VS-VSKL170-12PBF 1200 ASMTDKL170-12PBF
VS-VSKL170-14PBF 1400 ASMTDKL170-14PBF
VS-VSKL170-16PBF 1600 ASMTDKL170-16PBF
VS-VSKH250PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH250-04PBF 250 (85) 400 8500 361 1.00 0.57 125 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKH250-04PBF
VS-VSKH250-08PBF 800 ASMTDKH250-08PBF
VS-VSKH250-10PBF 1000 ASMTDKH250-10PBF
VS-VSKH250-12PBF 1200 ASMTDKH250-12PBF
VS-VSKH250-14PBF 1400 ASMTDKH250-14PBF
VS-VSKH250-16PBF 1600 ASMTDKH250-16PBF
VS-VSKH250-18PBF 1800 ASMTDKH250-18PBF
VS-VSKH250-20PBF 2000 ASMTDKH250-20PBF
VS-VSKL250PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL250-04PBF 250 (85) 400 8500 361 1.00 0.57 125 0.009 500 MAGN-A-PAK
115x50x52
ASMTDKL250-04PBF
VS-VSKL250-08PBF 800 ASMTDKL250-08PBF
VS-VSKL250-10PBF 1000 ASMTDKL250-10PBF
VS-VSKL250-12PBF 1200 ASMTDKL250-12PBF
VS-VSKL250-14PBF 1400 ASMTDKL250-14PBF
VS-VSKL250-16PBF 1600 ASMTDKL250-16PBF
VS-VSKL250-18PBF 1800 ASMTDKL250-18PBF
VS-VSKL250-20PBF 2000 ASMTDKL250-20PBF
VS-VSKH500PBF - Схема подвоєння діодів (позитивний контроль)
VS-VSKH500-08PBF 500 (82) 800 17800 1591 0.93 0.32 130 0.009 1500 Super MAGN-A-PAK
149х60х52
ASMTDKH500-08PBF
VS-VSKH500-12PBF 1200 ASMTDKH500-12PBF
VS-VSKH500-14PBF 1400 ASMTDKH500-14PBF
VS-VSKH500-16PBF 1600 ASMTDKH500-16PBF
VS-VSKL500PBF - Схема подвоєння діодів (негативний контроль)
VS-VSKL500-08PBF 500 (82) 800 17800 1591 0.93 0.32 130 0.009 1500 Super MAGN-A-PAK
149х60х52
ASMTDKL500-08PBF
VS-VSKL500-12PBF 1200 ASMTDKL500-12PBF
VS-VSKL500-14PBF 1400 ASMTDKL500-14PBF
VS-VSKL500-16PBF 1600 ASMTDKL500-16PBF

Розшифровка маркування тиристорно-діодних модулів:

AS MTD K H 26 / 08
AS brand AS ENERGITM
MTD Вид приладу: Модуль тиристорно-діодний.
K Напівпровідниковий тип: Модуль.
H Топологія схеми: Схема діодного подвоєння, позитивне керування.
26 Середній струм: IT(AV) rounded, ампер.
08 Клас за напругою x 100 = VRRM.

Типи принципових електричних схем відповідно до маркувальної частини:

Схема подвійник діодів (позитивний контроль)Схема подвійник діодів (позитивний контроль) Схема подвійник діодів (негативний контроль)Схема подвійник діодів (негативний контроль) Діод (спільні аноди)Діод (спільні аноди)
H L N

Рекомендації щодо монтажу силових модулів

Характеристики охолоджувача та поверхні, підготовка

Для забезпечення хорошого теплового контакту і отримання значень опору теплового контакту, зазначених у технічних характеристиках, контактна поверхня радіатора повинна бути чистою і не містити частинок пилу. Перед встановленням охолоджувача корисно очистити монтажну поверхню охолоджувача серветками та спиртовим очищувачем, наприклад, ізопропанолом, безпосередньо перед монтажем. Повинні бути дотримані наступні механічні характеристики:
– Нерівномірність площі кріплення охолоджувача повинна бути ≤ 50 мкм на 100 мм
– Шорсткість Rz: < 10 мкм
– Немає кроків > 10 мкм


Специфікація поверхні охолоджувача

Нанесення термопасти

Рекомендується використовувати трафаретний друк для нанесення матеріалу термоінтерфейсу. Рекомендується використовувати термопасту товщиною від 50 мкм до 100 мкм. Нанесення термопасти за допомогою валика не рекомендується для масового виробництва, оскільки не можна гарантувати відтворення оптимізованої товщини термопасти.

Момент затягування на охолоджувачі MS

Для кріплення силових модулів рекомендується використовувати сталеві гвинти в поєднанні з відповідними шайбами і пружинними стопорними шайбами або комбінованими гвинтами. Необхідно дотримуватися зазначеного в даташиті (технічній специфікації) значення крутного моменту затягування.

Рекомендується попереднє затягування і повторне затягування до заданого значення моменту затягування. Під час процесу закручування швидкість повинна бути обмежена, а крутний момент рекомендується плавно обмежувати, щоб уникнути піків крутного моменту, які можуть виникнути при використанні пневматичних викруток.


Приклад послідовності монтажу

Гвинти слід затягувати в діагональному порядку з однаковим моментом затягування в кілька етапів, поки не буде досягнуто вказаного значення моменту затягування MS.


icon Чому варто обрати AS ENERGITM

  • Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
  • Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
  • Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
  • Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
  • 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
  • Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
  • Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

 

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Сертифікати

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Звіт про випробування

Географія партнерства

AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Географія

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

Логістика

AS ENERGITM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.


Рекомендовані продукти:

 

Tags: Модулі Vishay, тиристорно-діодний модуль, здвоєний тиристорно-діодний модуль, технічний паспорт, специфікація, схема, сертифікат, виготовлення, завод виробник силового модуля, випрямляч, технічні характеристики тиристорно-діодного модуля, напівпровідниковий тиристор, тиристорно-діодний модуль прайс лист, замовлення

 

Вибрана продукція:

^