Тиристор швидкодіючий імпульсний ТБИ373-2000 (2000–2500В) 2000 ампер
Середній струм, ITAV | 2000А |
Напруга, VDRM/VRRM | 2000–2500В |
Клас за напругою, VRRM / 100 | 20 – 25 |
ТБИ373-2000 | на замовлення |
Корпус Розміри ØD×Ød×H |
PT74 112x75x35 мм |
Вага | 1700 г |
Даташит PDF |
Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ373-2000 AS ENERGITM у таблетковому виконанні - це напівпровідниковий швидкодіючий (імпульсний) напівпровідниковий прилад притискного типу. Цей швидкодіючий імпульсний силовий тиристор призначений для перетворення і керування постійним і змінним струмами до 2000А частотою до 10кГц в ланцюгах з напругою до 2000В – 2500В (клас за напругою від 20 до 25). Розміри тиристора ØDxØdxH - 112x75x35 мм (зовнішній діаметр корпусу X діаметр контактної поверхні X висота корпусу), вага - 1700 г.
Швидкодіючі імпульсні тиристори - це пристрої зі зменшеними значеннями tq, trr, Qrr і більш високим значенням (diT/dt)cr (до 2500 А/мкс), призначені для роботи на більш високих частотах (до 10 кГц). Швидкодіючі тиристори характеризуються дуже малим часом вимикання, що відрізняє їх від стандартних моделей. Вони використовуються у зварюванні, індукційному нагріванні та плавленні, електротранспорті, приводах змінного струму, ДБЖ та інших системах, що потребують короткого часу вмикання та вимикання. Тиристори мають стандартний керамічний герметичний корпус, який ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.
Анод і катод тиристора (полярність) визначаються символом на корпусі. Швидкодіючі тиристори знаходяться в корпусі таблеткового типу (капсули). Даний швидкодіючий тиристор може бути альтернативним продуктом, заміною, аналогом, еквівалентом для інших типів швидкодіючих тиристорів 1700А, 1800А, 1900А, 2000А у таблетковому корпусі.
Для охолодження під час роботи силових тиристорів на них встановлюють охолоджувачі (радіатори). Залежно від кількості тепла, що виділяється, і умов роботи напівпровідників може використовуватися як природне охолодження повітряним потоком, так і примусове.
Під час монтажу необхідно забезпечити необхідне зусилля притискання Fm специфічне для кожного типу корпусу тиристора (вказано в таблиці параметрів).
Технічні характеристики та параметри тиристора ТБИ373-2000 AS ENERGITM, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наша компанія надає гарантію роботи на швидкодіючі тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Номінали швидкодіючих імпульсних тиристорів: ТБИ373-2000-20 (2000А 2000В), ТБИ373-2000-22 (2000А 2200В), ТБИ373-2000-24 (2000А 2400В), ТБИ373-2000-25 (2000А 2500В).
Остаточна ціна на тиристори швидкодіючі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики швидкодіючих імпульсних тиристорів ТБИ373-2000:
Технічні характеристики швидкодіючих імпульсних тиристорів | ТБИ373-2000 | |
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | IT(AV) (Tcase) | 2000A (84°C) 2940A (55°C) |
Повторювана імпульсна напруга у закритому стані; повторювана імпульсна зворотна напруга | VDRM/VRRM | 2000-2500 V |
Максимально допустимий середній струм у відкритому стані | ITRMS | 3140 A |
Ударний струм у відкритому стані | ITSM | 37.2 kA |
Захисний показник | I2t | 6900 kA2·s |
Імпульсна напруга у відкритому стані | VTM | 1.90 V |
Імпульсний струм у відкритому стані | ITM | 4000 A |
Порогова напруга тиристора у відкритому стані | VT(TO) | 1.300 V |
Динамічне опір | rT | 0.150 mΩ |
Час відключення | tq | 40-63 µs |
Повторювальний імпульсний струм у закритому стані / Повторювальний імпульсний зворотний струм | IDRM/IRRM | 300 mA |
Критична швидкість зростання напруги у закритому стані | (dVD/dt)cr | 200-1000 V/µs |
Відпираюча постійна напруга управління | VGT | 3.0 V |
Відпираючий постійний струм управління | IGT | 300 mA |
Критична швидкість зростання струму у відкритому стані | (diT/dt)cr | 2500 A/µs |
Температура переходу | Tvj max | 125 ºC |
Тепловий опір перехід-корпус | Rth(j-c) | 0.010 ºC/W |
Сила затиску | Fm ±10% | 45 kN |
Вага | W | 1700 г |
Тип корпусу, Розміри | ØDxØdxH | PT74 (T.F5) 112x75x35 mm |
Рекомендовані охолоджувачі | Охолоджувачі | О173, О273 |
Даташит (інформаційний лист) |
Розшифровка маркування швидкодіючого імпульсного тиристора ТБИ373-2000:
ТБИ | 373 | – | 2000 | – | 25 | – | 9 | 6 | 3 |
TFI | – | AS ENERGITM Швидкодіючий імпульсний тиристор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
373 | – | Тип тиристора (таблетковий). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2000 | – | Середній струм у відкритому стані IT(AV), ампер. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25 | – | Клас за напругою VRRM / 100 (Номінальна напруга - 2500 В). | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
9 | – | Критична швидкість зростання напруги у закритому стані (dVD/dt)cr:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6 | – | Час відключення tq:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 | – | Час включення tgt:
|
Швидкодіючий імпульсний тиристор ТБИ373-2000 даташит PDF:
Завантажити pdf специфікацію для тиристорів ТБИ373-2000
Напівпровідники високої потужності AS ENERGITM
Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Охолоджувачі для таблеткових швидкодвючих силових тиристорів:
Охолоджувачі (радіатори) використовуються для одно- і двостороннього охолодження силових напівпровідникових приладів у таблетковому виконанні.
Тепловідводи охолоджувачів виготовлені з алюмінієвих радіаторних профілів і не потребують додаткового захисного покриття при використанні в різних кліматичних умовах.
Дізнайтеся більше про охолоджувачі: "Охолоджувачі повітрянні серії O для таблеткових пристроїв", "Охолоджувачі повітрянні серії SF", "Охолоджувачі водяні серії SS".
Фото швидкодіючого імпульсного тиристора:
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти: