Тиристори швидкодіючі імпульсні ТБИ 100A – 320A, штирьовий корпус

Штирьові швидкодіючі імпульсні тиристори

Швидкодіючі імпульсні тиристори (ТБИ) серії AS ENERGI^TM у штирьовому корпусі - це напівпровідникові прилади з швидкою комутацією. Швидкодіючі тиристори відповідають таким вимогам, як підвищений опір di/dt, низькі втрати на перемикання, короткий час вмикання і вимикання. Регулювання і перетворення постійного і змінного струмів до 320А в діапазоні частот до 10 кГц в ланцюгах з напругою до 1800В (в залежності від серії).

Силові штирьові швидкодіючі імпкльсні тиристори серії ТБИ (ТБІ) мають наступні типи (струм): 100 А, 120 А, 125 А, 150 А, 160 А, 200 А, 250 А, 300 А, 320 ампер.

Серії силових штирьових швидкодіючих імпульсних тиристорів

Розшифровка маркування тиристорів штирьових швидкодіючих

Технічний паспорт на силові швидкодіючі тиристори

Швидкодіючі імпульсні тиристори - це тиристори з додатково нормованим зворотним зарядом відновлення Qrr. Ці пристрої пристосовані для комутації імпульсів струму з високою швидкістю наростання фронту і великою амплітудою.

Швидкодіючі тиристори - це прилади зі зменшеними значеннями t_q, t_rr, Q_rr і з більшим значенням (di_T/dt)_cr (до 2500 А/мкс), призначені для роботи в режимах підвищених частот (до 10 кГц). Параметри тиристора V_TM, t_q, Q_rr взаємопов'язані, тому зменшення значень t_q і Q_rr призводить до збільшення V_TM.

Швидкодіючі (імпульсні) тиристори характеризуються дуже малим часом вимикання, що відрізняє їх від стандартних моделей. Вони використовуються у зварюванні, індукційному нагріванні та плавленні, електротранспорті, приводах змінного струму, ДБЖ та інших системах, де потрібен короткий час вмикання і вимикання. Тиристори мають стандартний керамічний герметичний корпус, який ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.

Полярність тиристора визначається символом на корпусі. На цій сторінці наведено принципові електричні схеми і схеми штирьових тиристорів з анодом, катодом і керуючим електродом (затвором). Нижче наведено технічні характеристики, довідник з нумерації деталей, полярність, розміри і рекомендовані охолоджувачі для штирьових тиристорів.

Для охолодження штирьових тиристорів використовуються повітряні та водяні охолоджувачі. Для забезпечення надійного теплового та електричного контакту з охолоджувачем під час монтажу необхідно дотримуватися моменту затягування M_d. Для кращого відведення тепла тиристора під час складання використовується теплопровідна паста.

Швидкодіючі тиристори мають герметичний керамічний корпус, що ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.

Швидкодіючі штирьові імпульсні тиристори від ТОВ "АС Енерджі Глобал" мають такі особливості: низькі статичні та динамічні втрати, високі значення V_DRM/V_RRM, великий досвід використання приладів у різних галузях промисловості, діапазон напруг від 600 до 1800 В і струмів від 100 до 320 А, високу стійкість до термічних і електричних циклів, природне або примусове повітряне охолодження.

Наша компанія надає гарантію роботи на штирьові тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристори штирьові залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Штирьові швидкодіючі імпульсні тиристори ТБИ261, ТБИ361, ТБИ271, ТБИ371 (100А – 320А)

Тип	I_T(AV) (T_case)	V_DRM V_RRM	I_TSM	I²t	dv/dt	di/dt	t_q	T_{vj max}	R_th(j-c)	M_d ±10%	W	Корпус	Різьба	Даташити (технічні специф.)
Тип	А	V	kА	kA²·s	V/µs	A/µs	µs	ºC	ºC/W	N·m	g	Корпус	mm	PDF
100 А
ТБИ361-100	100 (93)	600-1200	2.5	312	1000	800	12.5-50	125	0.150	25	240	ST6	M20x1.5
125 А
ТБИ261-125	125 (88)	800-1400	4.5	80	200-2500	1000	16-32	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
ТБИ361-125	129 (80)	600-1200	2.6	100	1000	800	20-25	125	0.160	25	240	ST6	M20x1.5
160 А
ТБИ261-160	160 (83)	800-1400	5.5	140	200-2500	1000	20-40	125	0.150	25	240	ST6 (T.SA1)	M20x1.5
ТБИ271-160	160 (98)	1000-1400	6.0	170	200-2500	1600	16-32	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
ТБИ371-160	160 (98)	600-1200	4.0	80	1000	1000	10-32	125	0.084	30	440	ST7	M24x1.5
200 А
ТБИ271-200	200 (95)	1000-1400	6.5	200	200-2500	1600	20-40	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
ТБИ371-200	200 (90)	600-1800	6.0	180	1000	1000	25-50	125	0.084	30	440	ST7 (T.SB2)	M24x1.5
250 А
ТБИ271-250	250 (88)	1000-1400	7.0	230	200-2500	1600	25-50	125	0.085	30	440	ST7	M24x1.5
ТБИ371-250	250 (93)	1000-1400	7.0	240	200-2500	1600	25-50	125	0.085	30	470	ST7	M24x1.5
320 А
ТБИ271-320	320 (77)	1000-1400	7.5	260	200-2500	1600	32-63	125	0.080	30	440	ST7	M24x1.5

Розшифровка маркування тиристорів швидкодіючих імпульсних:

ТБИ

271

–

200

–

ТБИ

–

AS ENERGI^TM Швидкодіючий імпульсний тиристор

271

–

Тип тиристора (штирьовий).

200

–

Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.

–

Клас за напругою V_RRM / 100 (Номінальна напруга - 1400 В).

–

Критична швидкість зростання напруги у закритому стані (dV_D/dt)_crit:

Алфавітно-цифрове кодування	0	P3	E3	A3	P2	K2	Е2	A2	T1	P1	M1
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9
Значення, V/µs	не стандартизовано	20	50	100	200	320	500	1000	1600	2000	2500

–

Час відключення t_q:

Алфавітно-цифрове кодування	0	C3	E3	H3	K3	M3	P3	T3	X3	A4	B4	C4	E4
Цифрове кодування	0	1	2	3	4	5	6	7	8	–	9	–	–
Значення, V/µs	не стандартизовано	63	50	40	32	25	20	16	12.5	10	8	6.3	5

–

Час включення t_gt:

Алфавітно-цифрове кодування	0	T3	A4	B4	C4	H4	K4	M4	P4	T4	X4	A5	C5
Цифрове кодування	0	–	–	–	–	1	2	3	4	5	6	7	8
Значення, V/µs	не стандартизовано	16	10	8	6.3	4	3.2	2.5	2.0	1.6	1.25	1.0	0.63

Примітка: Ідентифікація груп динамічних параметрів для швидкодіючих імпульсних тиристорів (ТБИ)

Технічний паспорт (ПДФ) на тиристори фазового регулювання (зразок):

При постачанні тиристорів, при необхідності, ми надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Фото швидкодіючих імпульсних (штирьових) тиристорів:

Поради та рекомендації щодо силових тиристорів:

Силові тиристори не повинні експлуатуватися тривалий час при граничному навантаженні за всіма параметрами. У цьому випадку коефіцієнт запасу міцності визначається необхідним ступенем надійності пристрою.

Замініть несправний силовий тиристор на тиристор, який відповідає параметрам що замінюється.

У разі роботи в середовищі з підвищеною температурою навколишнього середовища необхідно передбачити додаткове охолодження.

Для забезпечення належного тепловідведення рекомендується періодичне очищення силових тиристорів і охолоджувачів від пилу та забруднень.

Для вирівнювання струмів між силовими тиристорами, підключеними паралельно, слід використовувати індуктивні дільники струму (найчастіше скручений тороїдальний дріт). Найпоширенішими способами з'єднання є замкнутий контур, контур із загальною котушкою або силовий тиристор. Ефективність дільників струму в цьому випадку визначається перетином магнітопроводу.

Запобігання несиметрії напруги при послідовному з'єднанні силових тиристорів досягається за рахунок використання шунтуючих резисторів, підключених паралельно кожному тиристору. Вирівнювання напруги в перехідних режимах забезпечується паралельним підключенням конденсаторів до кожного тиристора.

Категорично забороняється торкатися силових тиристорів під високою напругою під час роботи.

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.