Діодні модулі SKKE Semikron аналог

Діодні модулі SKKE Semikron мають монолітну конструкцію з єдиною топологією напівпровідників (один перемикач): один діод (SKKE). Використовуються в ланцюгах постійного і змінного струму з навантаженням до 1360А і зворотною імпульсною напругою до 2200В.

Діодні модулі AMKE AS ENERGI^TM є заміною, еквівалентом та альтернативою напівпровідникових приладів SKKE Semikron.

Випрямні модулі розміщені в корпусі SEMIPACK – промисловому стандарті, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Модулі спроектовані і зібрані з використанням високонадійних контактних з'єднань під тиском і технології паяння, яка відповідає специфічним вимогам оптимізації витрат і продуктивності.

Діодні модулі використовуються в різному енергетичному обладнанні - силові та керуючі блоки, електроприводи, стабілізатори потужності, регулятори змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також як випрямлячі для перетворювачів змінного струму.

Наша компанія надає гарантію роботи на діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Загальні характеристики діодних модулів SKKE та їх аналогів

Серія	Тип	I_T(AV)M	V_RRM V_DRM	I_TSM I_FSM	I²t	V_T(TO)	r_T	R_th(j-c)	W	Корпус, Розміри	Аналог AS ENERGI^TM	Даташити (технічні специф.)
Серія	Тип	A	V	A	A²·s	V	mΩ	K/W	g	mm	Аналог AS ENERGI^TM	PDF
SKKE 81	SKKE 81/08	82	800-1600	1750	15000	0.85	1.8	0.4	95	Корпус 1 93x20x30	AMKE81-08
	SKKE 81/12										AMKE81-12
	SKKE 81/16										AMKE81-16
SKKE 120	SKKE 120F17	120	1700	1800	16200	1.5	4.5	0.2	160	Корпус 2 94x34x30	AMKE120-F17
SKKE 162	SKKE 162/08	195	800-2200	5000	125000	0.85	1.2	0.18	165	Корпус 2 94x34x30	AMKE162-08
	SKKE 162/12										AMKE162-12
	SKKE 162/14										AMKE162-14
	SKKE 162/16										AMKE162-16
	SKKE 162/18										AMKE162-18
	SKKE 162/22H4										AMKE162-22H4
SKKE 212	SKKE 212/16 H2	213	1600	5500	151250	0.75	1.05	0.05	165	Корпус 2 94x34x30	AMKE212-16H2
SKKE 290	SKKE 290F06	290	600	6000	180000	0.9	1.2	0.08	160	Корпус 2 94x34x30	AMKE290-F06
SKKE 301	SKKE 301F12	300	1200	3600	64800	1.2	2.75	0.11	160	Корпус 2 94x34x30	AMKE301-F12
SKKE 310	SKKE 310F12	310	1200	5500	151000	1.2	1.9	0.08	250	Корпус 2 94x34x30	AMKE310-F12
SKKE 330	SKKE 330F17	330	1700	5200	135000	1.5	1.9	0.079	330	Корпус 4 106x62x37	AMKE330-F17
SKKE 380	SKKE 380/12	380	1200-1600	10000	500000	0.8	0.35	0.11	550	Корпус 3 115x50x52	AMKE380-12
SKKE 380	SKKE 380/16	380	1200-1600	10000	500000	0.8	0.35	0.11	550	Корпус 3 115x50x52	AMKE380-16
SKKE 600	SKKE 600/12	600	1200-2200	18000	1805000	0.75	0.25	0.07	840	Корпус 4 101x50x52	AMKE600-12
	SKKE 600/16										AMKE600-16
	SKKE 600/20H4										AMKE600-20H4
	SKKE 600/22H4										AMKE600-22H4
SKKE 600	SKKE 600F12	600	1200	5800	168200	1.2	1.9	0.038	330	Корпус 4 106x62x37	AMKE600-F12
SKKE 800	SKKE 800F17	800	1700	3712	68895	1.08	1.34	0.058	330	Корпус 4 106x62x37	AMKE800-F17
SKKE 1201	SKKE 1201/22	1360	2200	35000	6125000	0.75	0.073	0.0466	1950	Корпус 6 176x70x90	AMKE1201-22

Розшифровка маркування діодних модулів AMKE:

301

–

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Напівпровідниковий тип: Модуль.
KE	–	Топологія внутрішнього з'єднання: Одиночний діод.
301	–	Номінальний струм (I_TAV), A.
F	–	Швидкі діодні модулі
12	–	Клас за напругою (V_RRM/100).

Рекомендації щодо монтажу силових модулів

Характеристики охолоджувача та поверхні, підготовка

Для забезпечення хорошого теплового контакту і отримання значень опору теплового контакту, зазначених у технічних характеристиках, контактна поверхня радіатора повинна бути чистою і не містити частинок пилу. Перед встановленням охолоджувача корисно очистити монтажну поверхню охолоджувача серветками та спиртовим очищувачем, наприклад, ізопропанолом, безпосередньо перед монтажем. Повинні бути дотримані наступні механічні характеристики:
– Нерівномірність площі кріплення охолоджувача повинна бути ≤ 50 мкм на 100 мм
– Шорсткість Rz: < 10 мкм
– Немає кроків > 10 мкм

Специфікація поверхні охолоджувача

Нанесення термопасти

Рекомендується використовувати трафаретний друк для нанесення матеріалу термоінтерфейсу. Рекомендується використовувати термопасту товщиною від 50 мкм до 100 мкм. Нанесення термопасти за допомогою валика не рекомендується для масового виробництва, оскільки не можна гарантувати відтворення оптимізованої товщини термопасти.

Момент затягування на охолоджувачі M_S

Для кріплення силових модулів рекомендується використовувати сталеві гвинти в поєднанні з відповідними шайбами і пружинними стопорними шайбами або комбінованими гвинтами. Необхідно дотримуватися зазначеного в даташиті (технічній специфікації) значення крутного моменту затягування.

	SEMIPACK 1, 2 паяні модулі	SEMIPACK 3 паяні / скріплені модулі	SEMIPACK 3, 4, 5 модулі притискного типу	SEMIPACK 6 модулі притискного типу
Монтажний гвинт	2 pcs M5x18	4 pcs M5x18	4 pcs M5x20	4 pcs M6x20
Швидкість монтажу	max. 300 rpm	max. 300 rpm	max. 300 rpm	max. 300 rpm
Момент попередньої затяжки	0.6 Nm	0.6 Nm	0.6 Nm	0.6 Nm
Кінцевий крутний момент M_S	4.25–5.75 Nm	4.25–5.75 Nm	4.25–5.75 Nm	5.1–6.9 Nm

Рекомендується попереднє затягування і повторне затягування до заданого значення моменту затягування. Під час процесу закручування швидкість повинна бути обмежена, а крутний момент рекомендується плавно обмежувати, щоб уникнути піків крутного моменту, які можуть виникнути при використанні пневматичних викруток.

Гвинти слід затягувати в діагональному порядку з однаковим моментом затягування в кілька етапів, поки не буде досягнуто вказаного значення моменту затягування M_S.

Приклад порядку монтажу

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.