IGBT модулі SEMIKRON (SEMITRANS) аналоги

IGBT модуль (біполярний транзистор з ізольованим керуючим електродом) - це пристрій, необхідний для інверторного використання в багатьох видах промислового обладнання. IGBT модулі в різних топологіях застосовуються в схемах з діапазоном струмів I_Cnom від 25А до 1400А і з класами напруг V_CES від 600В до 1700В.

IGBT модулі AMM AS ENERGI^TM є заміною, еквівалентом і альтернативою напівпровідникових пристроїв для IGBT модулів SKM SEMIKRON (SEMITRANS). IGBT модулі розміщені в стандартному промисловому корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Доступні топології включають напівміст, одиночний комутатор, шестипакетний, трирівневий і багато інших, що охоплюють будь-яку сферу застосування.

Силовий модуль IGBT працює як перемикач і може використовуватися для надзвичайно швидкого вмикання та вимикання електроенергії з високою енергоефективністю.

Модулі IGBT використовуються як комутаційні елементи силових перетворювачів частотно-регульованих приводів для двигунів, інверторів змінного струму, ДБЖ, електронних зварювальних апаратів, джерел безперебійного живлення та інших. IGBT - це напівпровідниковий прилад, який поєднує в собі швидкісні характеристики перемикання силового MOSFET з можливостями роботи з високою напругою / великим струмом біполярного транзистора.

Силові модулі IGBT стають кращим пристроєм для високопотужних застосувань завдяки своїй здатності покращувати комутаційні, температурні, вагові та економічні характеристики.

Нижче наведені технічні характеристики, технічні паспорти, внутрішні з'єднання, креслення та розміри.

Наша компанія надає гарантію роботи на IGBT модулі, силові тиристорні / діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні IGBT модулів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на IGBT модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Загальні характеристики IGBT модулів SEMIKRON (SEMITRANS) та їх аналогів

Тип	IGBT						Діод			Корпус	Топологія	Аналог AS ENERGI^TM	Даташити (технічні специф.)
	I_Cnom	I_C	V_CES	V_CE(sat)	E_on	E_off	I_F	V_F	E_rr
	A	A	V	V	mJ	mJ	A	V	mJ
Модулі IGBT - 600В - IGBT3 (Траншея)
SKM145GB066D	150	195	600	1.46	8.5	5.5	150	1.40	3.5	2		AMM145GB066D
SKM195GB066D	200	265	600	1.46	14	8	200	1.40	5.6	2		AMM195GB066D
SKM300GB066D	300	390	600	1.45	7.5	11.5	350	1.38	10.5	3		AMM300GB066D
SKM400GB066D	400	500	600	1.45	8	16	450	1.40	14			AMM400GB066D
SKM600GB066D	600	760	600	1.45	7.5	29.5	700	1.40	25			AMM600GB066D
SKM200GARL066T	200	280	600	1.45	2.24	7.89	270	1.45	4	5		AMM200GARL066T
SKM300GARL066T	300	393	600	1.45	3.5	10.1	421	1.54	4			AMM300GARL066T
SKM400GARL066T	400	504	600	1.45	4.48	15.78	421	1.54	8			AMM400GARL066T
SKM150MLI066TAT	150	200	600	1.45	1.7	5.1	200	1.35	2	5		AMM150MLI066TAT
SKM200MLI066TAT	200	280	600	1.45	2.53	6.82	270	1.40	4			AMM200MLI066TAT
SKM300MLI066TAT	300	400	600	1.45	3.5	10.1	324	1.35	4			AMM300MLI066TAT
Модулі IGBT - 650В - IGBT3 (Траншея)
SKM195GAL07E3	200	266	650	1.46	6.3	8.3	217	1.39	4.5	2		AMM195GAL07E3
SKM300GAL07E3	300	394	650	1.45	3	14	335	1.40	6.4	3		AMM300GAL07E3
SKM600GAL07E3	600	852	650	1.45	20	37	812	1.40	9.1	3		AMM600GAL07E3
SKM195GAR07E3	200	266	650	1.46	6.3	8.3	217	1.39	4.5	2		AMM195GAR07E3
SKM300GAR07E3	300	394	650	1.45	3	14	335	1.40	6.4	3		AMM300GAR07E3
SKM600GAR07E3	600	852	650	1.45	20	37	812	1.40	9.1	3		AMM600GAR07E3
SKM195GB07E3	200	266	650	1.46	6.3	8.3	217	1.39	4.5	2		AMM195GB07E3
SKM300GB07E3	300	394	650	1.45	4.7	13.6	335	1.40	6.4	3		AMM300GB07E3
SKM400GB07E3	400	506	650	1.45	4	17	447	1.39	12			AMM400GB07E3
SKM600GB07E3	600	852	650	1.45	20	37	812	1.40	9.1			AMM600GB07E3
Модулі IGBT - 1200В - NPT IGBT (Ultrafast)
SKM600GA125D	400	580	1200	3.30	30	22	500	2.00	24	4		AMM600GA125D
SKM800GA125D	600	760	1200	3.20	88	48	720	2.30	28	4		AMM800GA125D
SKM200GAL125D	150	200	1200	3.30	14	8	200	2.06	8	3		AMM200GAL125D
SKM400GAL125D	300	400	1200	3.30	17	18	390	2.06	16	3		AMM400GAL125D
SKM200GAR125D	150	200	1200	3.30	14	8	200	2.06	8	3		AMM200GAR125D
SKM400GAR125D	300	400	1200	3.30	17	18	390	2.06	16	3		AMM400GAR125D
SKM100GB125DN	75	100	1200	3.30	9	3.5	95	2.06	4	2N		AMM100GB125DN
SKM200GB125D	150	200	1200	3.30	14	8	200	2.06	8	3		AMM200GB125D
SKM300GB125D	200	300	1200	3.30	16	11	260	2.00	13			AMM300GB125D
SKM400GB125D	300	400	1200	3.30	17	18	390	2.06	16			AMM400GB125D
SKM25GAH125D	25	39	1200	3.20	3.9	1.6	47	2.13	1.1	6		AMM25GAH125D
Модулі IGBT - 1200В - NPT IGBT (Надшвидкісні)
SKM25GD125D	25	39	1200	3.20	3.9	1.6	47	2.13	1.1	6		AMM25GD125D
SKM50GD125D	50	73	1200	3.20	8	3.2	77	2.00	2.1	6		AMM50GD125D
Модулі IGBT - 1200В - IGBT3 (Траншея)
SKM600GA126D	400	660	1200	1.70	39	64	490	1.60	41	4		AMM600GA126D
SKM800GA126D	600	910	1200	1.70	65	95	703	1.60	59	4		AMM800GA126D
SKM195GAL126D	150	220	1200	1.71	16	24.5	143	2.00	5.8	2		AMM195GAL126D
SKM200GAL126D	150	260	1200	1.71	18	24	200	1.60	18	3		AMM200GAL126D
SKM400GAL126D	300	470	1200	1.69	29	48	352	1.60	27			AMM400GAL126D
SKM600GAL126D	400	660	1200	1.70	39	64	490	1.60	41			AMM600GAL126D
SKM195GB126D	150	220	1200	1.71	16	24.5	143	2.00	5.8	2		AMM195GB126D
SKM200GB126D	150	260	1200	1.71	18	24	200	1.60	18	3		AMM200GB126D
SKM300GB126D	200	310	1200	1.70	21	33	250	1.60	18			AMM300GB126D
SKM400GB126D	300	470	1200	1.69	29	48	352	1.60	27			AMM400GB126D
SKM600GB126D	400	660	1200	1.70	39	64	490	1.60	41			AMM600GB126D
Модулі IGBT - 1200В - V-IGBT
SKM300GA12V	300	420	1200	1.84	23	33	353	2.17	21	4		AMM300GA12V
SKM400GA12V	400	612	1200	1.74	39	42	440	2.20	26			AMM400GA12V
SKM600GA12V	600	908	1200	1.75	76	76	707	2.14	43			AMM600GA12V
SKM150GAL12V	150	231	1200	1.75	13.5	14.2	189	2.14	8.5	2		AMM150GAL12V
SKM200GAL12VL2	150	299	1200	1.86	24	22	189	2.14	8.5	2		AMM200GAL12VL2
SKM400GAL12V	400	612	1200	1.74	39	42	440	2.20	26	3		AMM400GAL12V
SKM150GAR12V	150	231	1200	1.75	13.5	14.2	189	2.14	8.5	2		AMM150GAR12V
SKM400GAR12V	400	612	1200	1.74	39	42	440	2.20	26	3		AMM400GAR12V
SKM50GB12V	50	77	1200	1.84	4.9	4.5	65	2.22	2.8	2		AMM50GB12V
SKM75GB12V	75	114	1200	1.84	6.7	7.1	97	2.17	4.2			AMM75GB12V
SKM100GB12V	100	159	1200	1.75	10.7	8.7	121	2.20	5.7			AMM100GB12V
SKM150GB12V	150	231	1200	1.75	13.5	14.2	189	2.14	8.5			AMM150GB12V
SKM150GB12VG	150	222	1200	1.86	10	16.5	187	2.17	11	3		AMM150GB12VG
SKM200GB12V	200	311	1200	1.76	14	22	229	2.20	13			AMM200GB12V
SKM300GB12V	300	420	1200	1.84	23	33	353	2.17	21			AMM300GB12V
SKM400GB12V	400	612	1200	1.74	39	42	440	2.20	26			AMM400GB12V
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 (Траншея)
SKM300GA12E4	300	422	1200	1.85	23.4	35	353	2.17	22.2	4		AMM300GA12E4
SKM400GA12E4	400	616	1200	1.80	28	59	461	2.20	37			AMM400GA12E4
SKM600GA12E4	600	913	1200	1.80	30	77	707	2.14	39			AMM600GA12E4
SKM900GA12E4	900	1305	1200	1.83	130	121	871	2.31	53			AMM900GA12E4
SKM600GAE12E4	600	860	1200	1.80	81	83	54	14.62	35.5	5		AMM600GAE12E4
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 (Траншея)
SKM200GAL12E4	200	313	1200	1.80	21	27	229	2.20	13	3		AMM200GAL12E4
SKM300GAL12E4	300	422	1200	1.85	27	39	353	2.17	23			AMM300GAL12E4
SKM400GAL12E4	400	616	1200	1.80	33	56	461	2.20	30.5			AMM400GAL12E4
SKM200GAR12E4	200	313	1200	1.80	21	27	229	2.20	13	3		AMM200GAR12E4
SKM300GAR12E4	300	422	1200	1.85	27	39	353	2.17	23			AMM300GAR12E4
SKM400GAR12E4	400	616	1200	1.80	33	56	461	2.20	30.5			AMM400GAR12E4
SKM200GB12E4	200	313	1200	1.80	21	27	229	2.20	13	3		AMM200GB12E4
SKM300GB12E4	300	422	1200	1.85	27	39	353	2.17	23			AMM300GB12E4
SKM400GB12E4	400	616	1200	1.80	33	56	461	2.20	30.5			AMM400GB12E4
SKM450GB12E4	450	700	1200	1.84	32	60	461	2.31	28			AMM450GB12E4
SKM450GB12E4D1	450	700	1200	1.84	28	58	461	2.04	31			AMM450GB12E4D1
SKM600GB12E4	600	860	1200	1.80	30	77	623	2.28	39			AMM600GB12E4
SKM450GM12E4	450	700	1200	1.84	32	60	461	2.31	28	3		AMM450GM12E4
SKM450GM12E4D1	450	699	1200	1.84	28	58	623	2.04	31			AMM450GM12E4D1
SKM600GM12E4	600	860	1200	1.80	30	77	623	2.28	39			AMM600GM12E4
SKM1200MLI12TE4	1200	2078	1200	1.80	108	189	1057	2.46	76	10		AMM1200MLI12TE4
SKM1200MLI12BE4	1200	2078	1200	1.80	108	189	1057	2.46	76	10		AMM1200MLI12BE4
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 Швидкі (Траншея)
SKM300GA12T4	300	422	1200	1.85	23.4	26	353	2.17	22.2	4		AMM300GA12T4
SKM400GA12T4	400	616	1200	1.80	28	44	461	2.20	37			AMM400GA12T4
SKM600GA12T4	600	913	1200	1.80	74	63	707	2.14	38			AMM600GA12T4
SKM50GAL12T4	50	81	1200	1.85	5.5	4.5	65	2.22	3.6	2		AMM50GAL12T4
SKM100GAL12T4	100	160	1200	1.80	15	10.2	121	2.20	5.9			AMM100GAL12T4
SKM150GAL12T4	150	232	1200	1.81	19.2	15.8	189	2.14	13			AMM150GAL12T4
SKM200GAL12T4	200	313	1200	1.80	21	20	229	2.20	13	3		AMM200GAL12T4
SKM300GAL12T4	300	422	1200	1.85	27	29	353	2.17	23			AMM300GAL12T4
SKM400GAL12T4	400	616	1200	1.80	33	42	461	2.20	30.5			AMM400GAL12T4
SKM600GAL12T4	600	860	1200	1.80	33	70	623	2.28	40			AMM600GAL12T4
SKM150GAR12T4	150	232	1200	1.81	19.2	15.8	189	2.14	13	2		AMM150GAR12T4
SKM400GAR12T4	400	616	1200	1.80	33	42	461	2.20	30.5	3		AMM400GAR12T4
SKM600GAR12T4	600	860	1200	1.80	33	70	623	2.28	40	3		AMM600GAR12T4
SKM50GB12T4	50	81	1200	1.85	5.5	4.5	65	2.22	3.8	2		AMM50GB12T4
SKM75GB12T4	75	115	1200	1.85	11	6.9	97	2.17	4.7			AMM75GB12T4
SKM100GB12T4	100	160	1200	1.80	15	10.2	121	2.20	5.9			AMM100GB12T4
SKM150GB12T4	150	232	1200	1.81	19.2	15.8	189	2.14	13			AMM150GB12T4
SKM100GB12T4G	100	154	1200	1.90	16.1	8.6	118	2.22	6	3		AMM100GB12T4G
SKM150GB12T4G	150	223	1200	1.85	18.7	14.1	183	2.17	9	3		AMM150GB12T4G
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 Швидкі (Траншея)
SKM200GB12T4	200	313	1200	1.80	21	20	229	2.20	13	3		AMM200GB12T4
SKM300GB12T4	300	422	1200	1.85	27	29	353	2.17	23			AMM300GB12T4
SKM400GB12T4	400	616	1200	1.80	33	42	461	2.20	30.5			AMM400GB12T4
SKM450GB12T4	450	699	1200	1.84	32	49	461	2.31	28			AMM450GB12T4
SKM450GB12T4D1	450	699	1200	1.84	28	48	623	2.04	32			AMM450GB12T4D1
SKM600GB12T4	600	860	1200	1.80	33	70	623	2.28	40			AMM600GB12T4
SKM150GM12T4G	150	229	1200	1.85	19.2	15.8	187	2.17	13	3		AMM150GM12T4G
SKM200GM12T4	200	313	1200	1.80	21	20	229	2.20	13			AMM200GM12T4
SKM300GM12T4	300	422	1200	1.85	27	29	353	2.17	23			AMM300GM12T4
SKM400GM12T4	400	616	1200	1.80	33	42	461	2.20	30.5			AMM400GM12T4
SKM300GBD12T4	300	422	1200	1.85	27	29	56	2.41	30.5	3		AMM300GBD12T4
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 Високошвидкісні (Траншея)
SKM100GAL12F4	100	153	1200	2.05	6.6	8	111	2.55	6.3	2		AMM100GAL12F4
SKM400GAL12F4	400	548	1200	2.06	28	32	402	2.55	18.5	3		AMM400GAL12F4
SKM100GAR12F4	100	153	1200	2.05	6.6	8	111	2.55	6.3	2		AMM100GAR12F4
SKM400GAR12F4	400	548	1200	2.06	28	32	402	2.55	18.5	3		AMM400GAR12F4
SKM75GB12F4	75	113	1200	2.08	6.8	5.3	98	2.43	3.7	2		AMM75GB12F4
SKM100GB12F4	100	153	1200	2.05	6.6	8	111	2.55	6.3			AMM100GB12F4
SKM150GB12F4	150	201	1200	2.05	14.5	12	174	2.43	6			AMM150GB12F4
SKM150GB12F4G	150	221	1200	2.05	7.8	10.8	197	2.43	8.9	3		AMM150GB12F4G
SKM200GB12F4	200	312	1200	2.06	7.5	15.7	227	2.55	9.7			AMM200GB12F4
SKM300GB12F4	300	380	1200	2.06	16.5	24	334	2.43	16			AMM300GB12F4
SKM400GB12F4	400	548	1200	2.06	28	32	402	2.55	18.5			AMM400GB12F4
Модулі IGBT - 1200В - IGBT4 Силові (Траншея)
SKM1400GAL12P4	1400	2165	1200	1.75	150	290	1849	2.07	110	10		AMM1400GAL12P4
SKM1400GAR12P4	1400	2165	1200	1.75	150	290	1849	2.07	118			AMM1400GAR12P4
SKM1400GB12P4	1400	2165	1200	1.75	150	277	1768	2.06	85			AMM1400GB12P4
Модулі IGBT - 1700В - IGBT3 (Траншея)
SKM600GA176D	400	660	1700	2.00	255	155	600	1.60	102	4		AMM600GA176D
SKM800GA176D	600	830	1700	2.00	335	245	630	1.60	155	4		AMM800GA176D
SKM145GAL176D	100	160	1700	2.00	60	38	140	1.60	27.5	2		AMM145GAL176D
SKM200GAL176D	150	260	1700	2.01	93	58	210	1.70	31	3		AMM200GAL176D
SKM400GAL176D	300	432	1700	1.99	170	118	440	1.70	78	3		AMM400GAL176D
SKM400GAR176D	300	432	1700	1.99	170	118	440	1.70	78	3		AMM400GAR176D
SKM75GB176D	50	80	1700	2.00	25	18	80	1.70	14.5	2		AMM75GB176D
SKM100GB176D	75	125	1700	1.98	44	28.5	100	1.60	21.4			AMM100GB176D
SKM145GB176D	100	160	1700	2.00	60	38	140	1.60	27.5			AMM145GB176D
SKM200GB176D	150	260	1700	2.01	93	58	210	1.70	31	3		AMM200GB176D
SKM400GB176D	300	432	1700	1.99	170	118	440	1.70	78	3		AMM400GB176D
Модулі IGBT - 1700В - IGBT4 (Траншея)
SKM600GA17E4	600	972	1700	1.90	258	246	629	1.98	132	4		AMM600GA17E4
SKM100GAL17E4	100	164	1700	1.90	43	39	113	2.00	26	2		AMM100GAL17E4
SKM200GAL17E4	200	321	1700	1.90	69	79	213	2.00	45	3		AMM200GAL17E4
SKM400GAL17E4	400	614	1700	1.92	157	180	443	2.00	130	3		AMM400GAL17E4
SKM100GAR17E4	100	164	1700	1.90	43	39	113	2.00	26	2		AMM100GAR17E4
SKM200GAR17E4	200	321	1700	1.90	69	79	213	2.00	45	3		AMM200GAR17E4
SKM400GAR17E4	400	614	1700	1.92	157	180	443	2.00	130	3		AMM400GAR17E4
SKM75GB17E4	75	125	1700	1.93	30	29	88	2.00	21	2		AMM75GB17E4
SKM100GB17E4	100	164	1700	1.90	43	39	113	2.00	26			AMM100GB17E4
SKM150GB17E4	150	248	1700	1.90	67	59	169	1.98	32			AMM150GB17E4
SKM150GB17E4G	150	242	1700	1.90	39	59	163	2.00	33	3		AMM150GB17E4G
SKM200GB17E4	200	321	1700	1.90	69	79	213	2.00	45			AMM200GB17E4
SKM300GB17E4	300	476	1700	1.91	88	121	314	2.00	77			AMM300GB17E4
Модулі IGBT - 1700В - IGBT4 (Траншея)
SKM400GB17E4	400	614	1700	1.92	157	180	443	2.00	130	3		AMM400GB17E4
SKM500GB17E4	500	780	1700	1.90	135	210	561	1.99	130	3		AMM500GB17E4
SKM400GM17E4	400	614	1700	1.92	157	180	443	2.00	130	3		AMM400GM17E4
Модулі IGBT - 1700В - IGBT4 Силові (Траншея)
SKM1400GB17P4	1400	2452	1700	1.84	644	581	2044	1.84	223	10		AMM1400GB17P4
Модулі IGBT - 1700В - Renesas Gen 8
SKM1000GAL17R8	1000	1574	1700	1.66	420	330	1449	1.78	160	10		AMM1000GAL17R8
SKM1400GAL17R8	1400	2337	1700	1.63	645	482	1874	1.84	236	10		AMM1400GAL17R8
SKM1000GAR17R8	1000	1574	1700	1.66	415	345	1449	1.78	185	10		AMM1000GAR17R8
SKM1400GAR17R8	1400	2337	1700	1.63	632	496	1874	1.84	269	10		AMM1400GAR17R8
SKM1000GB17R8	1000	1574	1700	1.66	465	332	1449	1.78	159	10		AMM1000GB17R8
SKM1400GB17R8	1400	2337	1700	1.63	866	495	1874	1.84	253	10		AMM1400GB17R8

Розшифровка маркування IGBT модулів:

300

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Модуль.
M	–	Напівпровідниковий тип: IGBT модуль.
300	–	Номінальний струм колектора I_Cnom, ампер.
GA	–	Топологія внутрішнього з'єднання.
12	–	Клас за напругою колектор-емітер V_CES / 100.
E	–	Характеристика IGBT чіпа: P – IFX, транзистор з м'яким перемиканням IGBT E – IFX, м'яке перемикання TRENCHSTOP IGBT, чіп середньої потужності R – RENESAS, H-Type, Trench IGBT
4	–	Внутрішній ідентифікаційний номер, наприклад, 4 = IGBT 4^th покоління.

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.