Однопозиційні тиристорні модулі Infineon аналоги

Однопозиційні тиристорні модулі - являють собою монолітну конструкцію з одного напівпровідникового елементу, тип тиристор. Використовуються в електричних ланцюгах постійного і змінного струму з навантаженням до 860А і зворотною імпульсною напругою до 3600В.

Тиристорні модулі AMTZ AS ENERGI^TM є заміною, еквівалентом і альтернативою напівпровідникових приладів для SCR-модулів серії TZ Infineon (Інфініон) Technologies.

Тиристорні модулі розміщені в стандартному промисловому корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Розшифровка маркування тиристорних модулів

icon AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Модулі спроектовані і зібрані з використанням високонадійних контактних з'єднань під тиском і технології паяння, яка відповідає специфічним вимогам оптимізації витрат і продуктивності.

Тиристорні модулі застосовуються в різному енергетичному обладнанні – силові та керуючі блоки, електроприводи, стабілізатори потужності, регулятори змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також як випрямлячі для перетворювачів змінного струму.

Наші силові модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового регулювання або випрямлячів.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристорні / діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристорні / діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Загальні характеристики однотиристорних модулів Infineon та їх аналогів

Тип	I_F(AV)M	V_RRM V_DRM	I_FSM	I²t	V_T0	r_T	T_{vj max}	R_th(j-c)	W	Корпус, Розміри L×B×H	Аналог AS ENERGI^TM	Даташити (технічні специф.)
Тип	A	V	A	kA ²·s	V	mΩ	ºC	K/W	g	mm	Аналог AS ENERGI^TM	PDF
TZ150N26KOF	150	2600	4000	101	1.2	2.3	125	0.13	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ150N26KOF
TZ240N36KOF	240	3600	5500	151	1.17	1.7	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ240N36KOF
TZ240N34KOF	240	3400	5500	151	1.17	1.7	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ240N36KOF
TZ400N26KOF	400	2600	11000	605	1.0	0.5	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ400N26KOF
TZ400N24KOF	400	2400	11000	605	1.0	0.5	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ400N24KOF
TZ425N18KOF	425	1800	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N18KOF
TZ425N16KOF	425	1600	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N16KOF
TZ425N14KOF	425	1400	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N14KOF
TZ425N12KOF	425	1200	12500	781	0.9	0.3	125	0.078	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ425N12KOF
TZ430N22KOF	430	2200	12000	720	0.95	0.45	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ430N22KOF
TZ500N18KOF	500	1800	14500	1051	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ500N18KOF
TZ500N16KOF	500	1600	14500	1051	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ500N16KOF
TZ530N36KOF	530	3600	20000	2000	1.05	0.49	125	0.045	2750	TP70 104x70x90	AMTZ530N36KOF
TZ600N16KOF	600	1600	14000	980	0.9	0.27	125	0.065	900	TP50.1 101x50x52	AMTZ600N16KOF
TZ630N28KOF	630	2800	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N28KOF
TZ630N24KOF	630	2400	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N24KOF
TZ630N22KOF	630	2200	23000	2650	0.95	0.37	125	0.042	2750	TP70 104x70x90	AMTZ630N22KOF
TZ740N22KOF	740	2200	26500	3500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ740N22KOF
TZ800N18KOF	800	1800	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N18KOF
TZ800N16KOF	800	1600	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N16KOF
TZ800N14KOF	800	1400	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N14KOF
TZ800N18KOF TIM	800	1800	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N18KOF-TIM
TZ800N16KOF TIM	800	1600	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N16KOF-TIM
TZ800N12KOF	800	1200	30000	4500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ800N12KOF
TZ810N22KOF	819	2200	35000	6125	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ810N22KOF
TZ810N22KOF TIM	819	2200	35000	6125	0.82	0.17	125	0.42	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ810N22KOF-TIM
TZ740N22KOF TIM	819	2200	26500	3500	0.82	0.17	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ740N22KOF-TIM
TZ860N16KOF TIM	860	1600	40000	8000	0.8	1.45	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ860N16KOF-TIM
TZ860N16KOF	860	1600	40000	8000	0.8	1.45	125	0.042	1950	TP70A 104x70x90	AMTZ860N16KOF

Розшифровка маркування однопозиційних модулів:

150

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Модуль.
TZ	–	Топологія електричних ланцюгів: Одинарний тиристор.
150	–	Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.
N	–	Загального призначення.
26	–	Клас за напругою V_RRM / 100.
K	–	Механічна конструкція: K – технологія притискного контакту S – технологія пайки
O	–	Час вимкнення tq: не нормується.
F	–	Критичне зростання за межами dv/dt класу: F = 1000 V/μs

Рекомендації щодо монтажу силових модулів

Характеристики охолоджувача та поверхні, підготовка

Для забезпечення хорошого теплового контакту і отримання значень опору теплового контакту, зазначених у технічних характеристиках, контактна поверхня радіатора повинна бути чистою і не містити частинок пилу. Перед встановленням охолоджувача корисно очистити монтажну поверхню охолоджувача серветками та спиртовим очищувачем, наприклад, ізопропанолом, безпосередньо перед монтажем. Повинні бути дотримані наступні механічні характеристики:
– Нерівномірність площі кріплення охолоджувача повинна бути ≤ 50 мкм на 100 мм
– Шорсткість Rz: < 10 мкм
– Немає кроків > 10 мкм

Специфікація поверхні охолоджувача

Нанесення термопасти

Рекомендується використовувати трафаретний друк для нанесення матеріалу термоінтерфейсу. Рекомендується використовувати термопасту товщиною від 50 мкм до 100 мкм. Нанесення термопасти за допомогою валика не рекомендується для масового виробництва, оскільки не можна гарантувати відтворення оптимізованої товщини термопасти.

Момент затягування на охолоджувачі M_S

Для кріплення силових модулів рекомендується використовувати сталеві гвинти в поєднанні з відповідними шайбами і пружинними стопорними шайбами або комбінованими гвинтами. Необхідно дотримуватися зазначеного в даташиті (технічній специфікації) значення крутного моменту затягування.

Рекомендується попереднє затягування і повторне затягування до заданого значення моменту затягування. Під час процесу закручування швидкість повинна бути обмежена, а крутний момент рекомендується плавно обмежувати, щоб уникнути піків крутного моменту, які можуть виникнути при використанні пневматичних викруток.

Приклад послідовності монтажу

Гвинти слід затягувати в діагональному порядку з однаковим моментом затягування в кілька етапів, поки не буде досягнуто вказаного значення моменту затягування M_S.

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.