Однопозиційний тиристорний модуль TZ810N22KOF TIM (819А 2200В) Infineon аналог

Принципова схема однопозиційного модуля TZ810N22KOF TIM

Номер артикулу Infineon	TZ810N22KOF TIM
Середній струм, I_T(AV)M	819А
Напруга, V_RRM	2200В
Корпус	TP70A
Розміри L×B×H	104x70x90 мм
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMTZ810N22KOF-TIM
Додати в кошик	на замовлення + –

Однопозиційний тиристорний модуль AMTZ810N22KOF-TIM AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом тиристорного модуля TZ810N22KOF TIM Infineon (Інфініон) Technologies. Модуль однопозиційний, представляє собою монолітну конструкцію з одного напівпровідникового елементу, тип тиристор. Середній прямий струм I_TAV – 819 ампер, повторювана пікова зворотна напруга V_RRM – 2200В.

Тиристорні модулі характеризуються високою електричною і тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Тиристорні модулі розміщені в стандартному корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Однотиристорні модулі застосовуються в різному силовому обладнанні - силові та контрольні блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.

Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового керування або випрямлячів.

Технічні характеристики та параметри одинарного тиристорного модуля TZ810N, TZ810N22KOF TIM та заміни, аналога AMTZ810N22KOF-TIM, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристорні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних модулів, при необхідності, ми надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристорні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики однотиристорного модуля TZ810N22KOF TIM Infineon та його аналога:

Технічні характеристики одинарного тиристорного модуля		TZ810N22KOF TIM
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_TAV	819 A
Повторювана імпульсна зворотна напруга; повторювана імпульсна напруга у закритому стані	V_RRM/V_DRM	2200 V
Ударний струм у відкритому стані	I_TSM	35000 А
Захисний показник	I²t	6125 kA²·s
Порогова напруга тиристора у відкритому стані	V_T(TO)	0.82 V
Динамічний опір	r_T	0.17 mΩ
Максимально допустима температура переходу	T_{vj max}	125 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.42 K/W
Конструкція (виконання)	-	однопозиційний
Вага	W	1950 g
Корпус Розміри, mm	L×B×H	TP70A 104x70x90 mm
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMTZ810N22KOF-TIM
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування однопозиційного тиристорного модуля AMTZ810N22KOF-TIM:

810

TIM

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Модуль.
TZ	–	Топологія електричних ланцюгів: Один тиристор.
810	–	Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.
N	–	Загального призначення.
22	–	Клас за напругою V_RRM / 100.
K	–	Механічна конструкція: K – технологія притискного контакту S – технологія пайки
O	–	Час вимкнення tq: не нормується.
F	–	Клас по швидкості зростання напруги в закритому стані dv/dt: F = 1000 V/μs
TIM	–	Попередньо нанесений матеріал термоінтерфейсу.

Розміри одинарного тиристорного модуля TZ810N22KOF TIM та його аналога AMTZ810N22KOF-TIM:

Однопозиційний тиристорний модуль

Принципова схема однопозиційного тиристорного модуля TZ810N22KOF TIM та його аналога AMTZ810N22KOF-TIM:

Топологія внутрішнього з'єднання однопозиційного тиристорного модуля

Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI

Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.