Однопозиційний тиристорний модуль TZ430N22KOF (430А 2200В) Infineon аналог

Принципова схема однопозиційного модуля TZ430N22KOF

Номер артикулу Infineon	TZ430N22KOF
Середній струм, I_T(AV)M	430А
Напруга, V_RRM	2200В
Корпус	TP50.1
Розміри L×B×H	101x50x52 мм
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMTZ430N22KOF
Додати в кошик	на замовлення + –

Однопозиційний тиристорний модуль AMTZ430N22KOF AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом тиристорного модуля TZ430N22KOF Infineon (Інфініон) Technologies. Модуль однопозиційний, представляє собою монолітну конструкцію з одного напівпровідникового елементу, тип тиристор. Середній прямий струм I_TAV – 430 ампер, повторювана пікова зворотна напруга V_RRM – 2200В.

Тиристорні модулі характеризуються високою електричною і тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Тиристорні модулі розміщені в стандартному корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Однотиристорні модулі застосовуються в різному силовому обладнанні - силові та контрольні блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.

Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового керування або випрямлячів.

Технічні характеристики та параметри одинарного тиристорного модуля TZ430N, TZ430N22KOF та заміни, аналога AMTZ430N22KOF, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристорні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних модулів, при необхідності, ми надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристорні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики однотиристорного модуля TZ430N22KOF Infineon та його аналога:

Технічні характеристики одинарного тиристорного модуля		TZ430N22KOF
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_TAV	430 A
Повторювана імпульсна зворотна напруга; повторювана імпульсна напруга у закритому стані	V_RRM/V_DRM	2200 V
Ударний струм у відкритому стані	I_TSM	12000 А
Захисний показник	I²t	720 kA²·s
Порогова напруга тиристора у відкритому стані	V_T(TO)	0.95 V
Динамічний опір	r_T	0.45 mΩ
Максимально допустима температура переходу	T_{vj max}	125 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.065 K/W
Конструкція (виконання)	-	однопозиційний
Вага	W	900 g
Корпус Розміри, mm	L×B×H	TP50.1 101x50x52 mm
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMTZ430N22KOF
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування однопозиційного тиристорного модуля AMTZ430N22KOF:

430

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Модуль.
TZ	–	Топологія електричних ланцюгів: Один тиристор.
430	–	Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.
N	–	Загального призначення.
22	–	Клас за напругою V_RRM / 100.
K	–	Механічна конструкція: K – технологія притискного контакту S – технологія пайки
O	–	Час вимкнення tq: не нормується.
F	–	Клас по швидкості зростання напруги в закритому стані dv/dt: F = 1000 V/μs

Розміри одинарного тиристорного модуля TZ430N22KOF та його аналога AMTZ430N22KOF:

Однопозиційний тиристорний модуль

Принципова схема однопозиційного тиристорного модуля TZ430N22KOF та його аналога AMTZ430N22KOF:

Топологія внутрішнього з'єднання однопозиційного тиристорного модуля

Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI

Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.