Модуль IGBT SKM800GA176D (600А 1700В) Semikron аналог

Номер артикулу Semikron	SKM800GA176D
Номінальний струм колектора, I_Cnom	600А
Напруга колектор-емітер, V_CES	1700В
Корпус, Розміри L×B×H	Корпус 4 106x62x37
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMM800GA176D
Додати в кошик	на замовлення + –

IGBT модуль AMM800GA176D AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом IGBT модуля SKM800GA176D SEMIKRON (корпус SEMITRANS). Номінальний струм колектора I_Cnom – 600 ампер, тривалий струм колектора I_C – 830 ампер, напруга колектор-емітер V_CES – 1700В. Перемикачі - Одинарний перемикач.

IGBT модулі розміщені в стандартному промисловому корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Модулі IGBT (біполярний транзистор з ізольованим керуючим електродом) застосовуються як комутаційні елементи силових перетворювачів в частотно-регульованих приводах для двигунів, інверторних приводах змінного струму, ДБЖ, електронних зварювальних апаратах, гальмівних подрібнювачах, джерелах безперебійного живлення та інших пристроях. Доступні топології включають напівмостові, однополюсні, шестиполюсні, трирівневі та багато інших, що охоплюють всі сфери застосування.

Силові модулі IGBT стають кращим пристроєм для високопотужних застосувань завдяки своїй здатності покращувати комутаційні, температурні, вагові та економічні характеристики.

Технічні характеристики та параметри IGBT модуля SKM800GA176D Semikron та заміни, аналога AMM800GA176D, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на IGBT модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні IGBT модулів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на IGBT модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики IGBT модуля SKM800GA176D Semikron та аналога AMM800GA176D:

Технічні характеристики IGBT модуля		SKM800GA176D
IGBT
Номінальний струм колектора	I_Cnom	600 A
Безперервний струм колектора (температура корпусу)	I_C	830 A (25ºC)
Напруга колектор-емітер	V_CES	1700 V
Напруга насичення колектор-емітер (T_j = 25ºC typ.)	V_CE(sat)	2.00 V
Розсіювання енергії під час ввімкнення	E_on	335 mJ
Розсіювання енергії під час вимкнення	E_off	245 mJ
Діод
Постійний прямий струм (температура корпусу)	I_F	630 A (25ºC)
Пряма напруга (T_j = 25ºC typ.)	V_F	1.60 V
Розсіювання енергії при зворотному відновленні (діод)	E_rr	155 mJ
Модуль
Топологія схеми	-
Перемикачі	-	Одинарний перемикач
Вага	W	0.33 kg
Креслення, Корпус, Розміри, мм	L×B×H	Корпус 4 106x62x37
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMM800GA176D
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування IGBT модуля AMM800GA176D:

800

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Модуль.
M	–	Напівпровідниковий тип: IGBT модуль.
800	–	Номінальний струм колектора I_Cnom, ампер.
GA	–	Топологія внутрішнього з'єднання.
17	–	Клас за напругою колектор-емітер V_CES / 100.
6D	–	Характеристики, наприклад, характеристика IGBT чіпа, внутрішній ідентифікаційний номер.

Розміри IGBT модуля SKM800GA176D та його аналога AMM800GA176D:

Корпус 4

Принципова схема IGBT модуля SKM800GA176D та його аналога AMM800GA176D:

Топологія GA

Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і продажем силових напівпровідників (силові тиристори, діоди, модулі).
Купити тиристори у нас можна в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Ми заслужили довіру клієнтів і постачаємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.