AS ENERGIМодуль IGBT SKM25GD125D (25А 1200В) Semikron аналог
| Номер артикулу Semikron | SKM25GD125D |
| Номінальний струм колектора, ICnom | 25А |
| Напруга колектор-емітер, VCES | 1200В |
| Корпус, Розміри L×B×H | Корпус 6 105x45x18 |
| Даташит PDF |  |
| Аналог AS ENERGITM | AMM25GD125D |
| Додати в кошик | на замовлення
+
–
|
IGBT модуль AMM25GD125D AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом IGBT модуля SKM25GD125D SEMIKRON (корпус SEMITRANS). Номінальний струм колектора ICnom – 25 ампер, тривалий струм колектора IC – 39 ампер, напруга колектор-емітер VCES – 1200В. Перемикачі - Шестиполюсні.
IGBT модулі розміщені в стандартному промисловому корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.
Модулі IGBT (біполярний транзистор з ізольованим керуючим електродом) застосовуються як комутаційні елементи силових перетворювачів в частотно-регульованих приводах для двигунів, інверторних приводах змінного струму, ДБЖ, електронних зварювальних апаратах, гальмівних подрібнювачах, джерелах безперебійного живлення та інших пристроях. Доступні топології включають напівмостові, однополюсні, шестиполюсні, трирівневі та багато інших, що охоплюють всі сфери застосування.
Силові модулі IGBT стають кращим пристроєм для високопотужних застосувань завдяки своїй здатності покращувати комутаційні, температурні, вагові та економічні характеристики.
Технічні характеристики та параметри IGBT модуля SKM25GD125D Semikron та заміни, аналога AMM25GD125D, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наша компанія надає гарантію роботи на IGBT модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні IGBT модулів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на IGBT модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики IGBT модуля SKM25GD125D Semikron та аналога AMM25GD125D:
| Технічні характеристики IGBT модуля | SKM25GD125D | |
| IGBT | ||
| Номінальний струм колектора | ICnom | 25 A |
| Безперервний струм колектора (температура корпусу) | IC | 39 A (25ºC) |
| Напруга колектор-емітер | VCES | 1200 V |
| Напруга насичення колектор-емітер (Tj = 25ºC typ.) | VCE(sat) | 3.20 V |
| Розсіювання енергії під час ввімкнення | Eon | 3.9 mJ |
| Розсіювання енергії під час вимкнення | Eoff | 1.6 mJ |
| Діод | ||
| Постійний прямий струм (температура корпусу) | IF | 47 A (25ºC) |
| Пряма напруга (Tj = 25ºC typ.) | VF | 2.13 V |
| Розсіювання енергії при зворотному відновленні (діод) | Err | 1.1 mJ |
| Модуль | ||
| Топологія схеми | - | |
| Перемикачі | - | Шестиполюсні |
| Вага | W | 0.175 kg |
| Креслення, Корпус, Розміри, мм | L×B×H | Корпус 6 105x45x18 |
| Аналог AS ENERGITM | тип | AMM25GD125D |
| Даташит (інформаційний лист) | |
|
Розшифровка маркування IGBT модуля AMM25GD125D:
| A | M | M | 25 | GD | 12 | 5D |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Вид приладу: Модуль. |
| M | – | Напівпровідниковий тип: IGBT модуль. |
| 25 | – | Номінальний струм колектора ICnom, ампер. |
| GD | – | Топологія внутрішнього з'єднання. |
| 12 | – | Клас за напругою колектор-емітер VCES / 100. |
| 5D | – | Характеристики, наприклад, характеристика IGBT чіпа, внутрішній ідентифікаційний номер. |
Розміри IGBT модуля SKM25GD125D та його аналога AMM25GD125D:
Корпус 6
Принципова схема IGBT модуля SKM25GD125D та його аналога AMM25GD125D:
Топологія GD
Силові напівпровідникові прилади AS ENERGITM
Наша компанія займається виробництвом і продажем силових напівпровідників (силові тиристори, діоди, модулі).
Купити тиристори у нас можна в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Ми заслужили довіру клієнтів і постачаємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти:
