Павло ГоркунMDNA50P2200TG Діодний модуль (50А 2200В) IXYS аналог
| Номер артикулу IXYS | MDNA50P2200TG |
| Середній струм, IF(AV) (TC) | 50А (100ºC) |
| Напруга, VRRM | 2200В |
| Корпус Розміри L×B×H |
TO-240-AA 92x20x30 мм |
| Даташит PDF |  |
| Аналог AS ENERGITM | AMDNA50P-2200-TG |
| Додати в кошик | на замовлення
+
–
|
Двопозиційний діодний модуль AMDNA50P-2200-TG AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом діодного модуля MDNA50P2200TG IXYS, також відомого як Littelfuse або Westcode (Весткод).
Середній прямий струм IFAV – 50 ампер, повторювана пікова зворотна напруга VRRM – 2200В. Двопозиційний діод-діод модуль MDNA50P2200TG має напівмостову схему ввімкнення (спільний анод-катод).
Діодні модулі характеризуються високою електричною та тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах роботи, низький рівень витоку струму і прямого падіння напруги. Діодні модулі розміщені в корпусі промислового стандарту, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.
Двопозиційні і однопозиційні діодні модулі використовуються в різному енергетичному обладнанні - силові блоки та блоки керування, для одно- та трифазних мостових конфігурацій, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.
Технічні характеристики та параметри діодного модуля MDNA50P2200TG IXYS та заміни, аналога AMDNA50P-2200-TG, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового керування або випрямлячів.
Наша компанія надає гарантію роботи на діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на двопозиційні і однопозиційні діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики двопозиційного діодного модуля MDNA50P2200TG IXYS та його аналога AMDNA50P-2200-TG:
| Технічні характеристики діодного модуля | MDNA50P2200TG | |
| Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | IFAV (Tcase) | 50 A (100ºC) |
| Повторювана імпульсна зворотна напруга | VRRM | 2200 V |
| Ударний прямий струм у відкритому стані | IFSM | 850 A |
| Максимально допустимий середній струм у відкритому стані | IF(RMS) | - |
| Захисний показник | I2t | 3.62 kA2·s |
| Порогова напруга у відкритому стані | VT(TO) | 0.80 V |
| Середньоквадратичний струм | IRMS | 200 A |
| Динамічний опір | rT | 5.7 mΩ |
| Максимально допустима температура переходу | Tvj max | 150 ºC |
| Тепловий опір перехід-корпус | Rth(JC) | 0.65 K/W |
| Тепловий опір корпус-охолоджувач | Rth(CH) | 0.20 K/W |
| Конструкція (виконання) | - | двопозиційний |
| Тип (електрична схема) | - | діод-діод |
| Вага | W | 76 g |
| Корпус Розміри, mm |
L×B×H | TO-240-AA 92x20x30 mm |
| Момент затягування | MD | 2.5-4 Nm |
| Аналог AS ENERGITM | тип | AMDNA50P-2200-TG |
| Даташит (інформаційний лист) | |
|
Розшифровка маркування двопозиційного діодного модуля AMDNA50P-2200-TG:
| A | M | D | N | A | 50 | P | – | 2200 | – | TG |
| A | – |  AS ENERGITM |
| M | – | Вид приладу: Дискретний напівпровідниковий модуль. |
| D | – | Діод. |
| N | – | Високовольтний стандартний діод. |
| A | – | Клас за напругою >= 2000 V. |
| 50 | – | Середній струм у відкритому стані IFAV, A. |
| P | – | Фазовий перехід. |
| 2200 | – | Зворотна напруга. |
| TG | – | Тип корпусу. |
Розміри двопозиційного діодного модуля MDNA50P2200TG та його аналога AMDNA50P-2200-TG:
TO-240-AA
Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI
Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти:
