MDD1080-28N7 Діодний модуль (887А 2800В) IXYS аналог

Двопозиційний діодний модуль MDD1080-28N7

Двопозиційний діодний модуль MDD1080-28N7 схема

Двопозиційний діодний модуль MDD1080-28N7 корпус

Номер артикулу IXYS	MDD1080-28N7
Середній струм, I_F(AV) (T_C)	887А (100ºC)
Напруга, V_RRM	2800В
Корпус Розміри L×B×H	W88 180x77x84 мм
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	ASMDD1080-28-N7
Додати в кошик	на замовлення + –

Двопозиційний діодний модуль ASMDD1080-28-N7 AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом діодного модуля MDD1080-28N7 IXYS, також відомого як Littelfuse або Westcode (Весткод).

Середній прямий струм I_FAV – 887 ампер, повторювана пікова зворотна напруга V_RRM – 2800В. Двопозиційний діод-діод модуль MDD1080-28N7 має напівмостову схему ввімкнення (спільний анод-катод).

Діодні модулі характеризуються високою електричною та тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах роботи, низький рівень витоку струму і прямого падіння напруги. Діодні модулі розміщені в корпусі промислового стандарту, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Двопозиційні і однопозиційні діодні модулі використовуються в різному енергетичному обладнанні - силові блоки та блоки керування, для одно- та трифазних мостових конфігурацій, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.

Технічні характеристики та параметри діодного модуля MDD1080-28N7 IXYS та заміни, аналога ASMDD1080-28-N7, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового керування або випрямлячів.

Наша компанія надає гарантію роботи на діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на двопозиційні і однопозиційні діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики двопозиційного діодного модуля MDD1080-28N7 IXYS та його аналога ASMDD1080-28-N7:

Технічні характеристики діодного модуля		MDD1080-28N7
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_FAV (T_case)	887 A (100ºC)
Повторювана імпульсна зворотна напруга	V_RRM	2800 V
Ударний прямий струм у відкритому стані	I_FSM	29100 A
Максимально допустимий середній струм у відкритому стані	I_F(RMS)	2235 A
Захисний показник	I²t	4230 kA²·s
Порогова напруга у відкритому стані	V_T(TO)	0.782 V
Середньоквадратичний струм	I_RMS	-
Динамічний опір	r_T	0.157 mΩ
Максимально допустима температура переходу	T_{vj max}	150 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(JC)	0.050 K/W
Тепловий опір корпус-охолоджувач	R_th(CH)	0.016 K/W
Конструкція (виконання)	-	двопозиційний
Тип (електрична схема)	-	діод-діод
Вага	W	3500 g
Корпус Розміри, mm	L×B×H	W88 180x77x84 mm
Момент затягування	M_D	9 Nm
Аналог AS ENERGI^TM	тип	ASMDD1080-28-N7
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування двопозиційного діодного модуля ASMDD1080-28-N7:

1080

–

AS	–	AS ENERGI^TM
M	–	Вид приладу: Дискретний напівпровідниковий модуль.
DD	–	Топологія електричного ланцюгу: два діода, напівміст (анод-катод).
1080	–	Середній струм у відкритому стані I_FAV, A.
28	–	Клас за напругою x 100 = V_RRM.
N7	–	Номер версії.

Розміри двопозиційного діодного модуля MDD1080-28N7 та його аналога ASMDD1080-28-N7:

W88

Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI

Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.