Павло ГоркунТиристор штирьовий VS-ST173C12CFK1 Vishay аналог
| Номер артикулу Vishay | VS-ST173C12CFK1 |
| Середній струм, IT(AV)M (TC) | 330A (55ºC) |
| Напруга, VDRM/VRRM | 1200 В |
| Розміри ØDxØdxH | 42x19x14 мм |
| Даташит PDF |  |
| Аналог AS ENERGITM | ASTD173C12CFK1 |
| Додати в кошик | на замовлення
+
–
|
Тиристор швидкодіючий ASTD173C12CFK1 AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом напівпровідникового приладу для тиристора швидкодіючого VS-ST173C12CFK1 Vishay Semiconductors.
Середній прямий струм у відкритому стані ITAV – 330 ампер, повторювана пікова пряма і зворотна блокуюча напруга VDRM/VRRM – 1200В. Тиристори з швидким вимиканням призначені для перетворення і керування постійним і змінним струмами."Охолоджувачі повітрянні серії O для таблеткових пристроїв", "Охолоджувачі повітрянні серії SF", "Охолоджувачі водяні серії SS" для охолодження тиристорів також доступні для замовлення.
Швидкодіючі дискретні тиристори це пристрої зі зменшеними значеннями tq, trr, Qrr і зі збільшиними значеннями (diT/dt)crit (до 2500 А/мкс) призначені для роботи на більш високих частотах. Тиристори інверторного класу характеризуються дуже малим часом вимикання, що відрізняє їх від стандартних моделей. Вони використовуються в інверторах, подрібнювачах, індукційному нагріванні та плавленні, електротранспорті, перетворювачах змінного струму, ДБЖ та інших системах, що вимагають короткого часу вмикання та вимикання. Тиристори мають стандартний керамічний герметичний корпус, який ізолює функціональну частину і напівпровідниковий елемент від механічних впливів і навколишнього середовища.
Особливості: стандартний керамічний корпус; розроблений для потужних промислових застосувань і систем передачі електроенергії; оптимізований для низького падіння напруги на виході; узгоджені показники Qrr і VT доступні для послідовного і / або паралельного з'єднань. Анод і катод тиристора (полярність) визначаються символом на корпусі.
Тиристори AS ENERGITM мають такі особливості: низькі статичні та динамічні втрати, високі значення VDRM/VRRM, великий досвід використання пристроїв у різних галузях промисловості, діапазон напруг від 100В до 9000В і струмів від 100А до 15000А, висока стійкість до термічних і електричних циклів, природне або примусове повітряне охолодження.
Технічні характеристики та параметри тиристора VS-ST173C12CFK1 Vishay та заміни, аналога ASTD173C12CFK1, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наша компанія надає гарантію роботи на тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на тиристори швидкодіючі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики тиристора швидкодіючого VS-ST173C12CFK1 Vishay та аналога ASTD173C12CFK1:
| Технічні характеристики тиристора | VS-ST173C12CFK1 | |
| Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | IT(AV)M (TC) | 330 A (55ºC) |
| Повторювана імпульсна напруга у закритому стані; повторювана імпульсна зворотна напруга | VDRM/VRRM | 1200 V |
| Ударний струм у відкритому стані | ITSM | 4680 A |
| Захисний показник | I2t | 110 kA2·s |
| Порогова напруга тиристора у відкритому стані | VT0 | 1.61 V |
| Динамічний опір | rT | 0.77 mΩ |
| Імпульсна напруга у відкритому стані | VTM | 2.07 V |
| Імпульсний струм у відкритому стані | ITM | 600 A |
| Максимально допустимий середній струм у відкритому стані | ITRMS | 610 A |
| Час відключення | tq | 15-30 µs |
| Максимально допустима температура переходу | Tvj max | 125 ºC |
| Тепловий опір перехід-корпус | Rth(j-c) | 0.016 K/W |
| Сила затиску | Fm ± 10 % | 4.9 kN |
| Вага | W | 50 g |
| Корпус | тип | A-PUK (TO-200AB) |
| Розміри | ØDxØdxH | 42x19x14 mm |
| Аналог AS ENERGITM | тип | ASTD173C12CFK1 |
| Даташит (інформаційний лист) | |
|
Розшифровка маркування тиристора швидкодіючого ASTD173C12CFK1:
| AS | TD | 17 | 3 | C | 12 | C | F | K | 1 |
| AS | – |  AS ENERGITM |
||||||||||||||||
| TD | – | Вид приладу: Дискретний таблетковий тиристор. | ||||||||||||||||
| 17 | – | Основний номер виробу. | ||||||||||||||||
| 3 | – | Тиристор швидкого вимкнення. | ||||||||||||||||
| C | – | Керамічний корпус. | ||||||||||||||||
| 12 | – | Клас за напругою VRRM / 100. | ||||||||||||||||
| C | – | Тип корпусу: A-PUK (TO-200AB). | ||||||||||||||||
| F | – | Параметр критичної швидкості наростання напруги у вимкненому стані (dVD/dt)crit:
|
||||||||||||||||
| K | – | Параметр часу вимкнення tq:
|
||||||||||||||||
| 1 | – | Швидкозатискні клеми (керуючий електрод і допоміжний катодний вивід без припаювання). |
Полярність (анод, катод, керуючий електрод) силових таблеткових тиристорів:
|
|
Напівпровідники високої потужності AS ENERGITM
Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
info@asenergi.com
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Охолоджувачі для силових таблеткових тиристорів:
Охолоджувачі (радіатори) використовуються для одно- і двостороннього охолодження силових напівпровідникових приладів у таблетковому виконанні.
Охолоджувачі виготовлені з алюмінієвих радіаторних профілів і не потребують додаткового захисного покриття при використанні в різних кліматичних умовах.
Охолоджувачі повітряні та водяні для охолодження тиристорів доступні для замовлення.
Дізнайтеся більше про охолоджувачі: "Охолоджувачі повітряні серії O для таблеткових пристроїв", "Охолоджувач повітряний серії SF", "Охолоджувач водяний серії SS".
Фото силових таблеткових тиристорів SCR:
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти:
