Тиристор силовий SKT SKT 10/12E Semikron аналог

Силовий тиристор фазового регулювання SKT 10/12E

Номер артикулу Semikron	SKT 10/12E
Середній струм, I_T(AV)M (T_C)	10А (111ºC)
Напруга, V_DRM/V_RRM	1200 В
Корпус Різьба	B1 M5
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	ATS10-12E
Додати в кошик	на замовлення + –

Тиристор фазового регулювання ATS10-12E AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом напівпровідникового приладу тиристора SKT 10/12E Semikron. AСередній прямий струм у відкритому стані I_TAV – 10 ампер, повторювані пікові пряма і зворотна блокуюча напруга V_DRM/V_RRM – 1200В. Штирьові тиристори призначені для перетворення і керування постійним і змінним струмами. "Охолоджувачі повітрянні серії O для таблеткових пристроїв" для охолодження тиристорів також доступні для замовлення.

Особливості: розроблені для потужних промислових застосувань і передачі електроенергії; оптимізовані для низького падіння напруги у вихідному стані; узгоджені значення Q_rr та V_T доступні для послідовного і / або паралельного з'єднань. Анод і катод тиристора (полярність) визначаються символом на корпусі.

Тиристори AS ENERGI^TM мають такі особливості: низькі статичні та динамічні втрати, високі значення V_DRM/V_RRM, великий досвід використання пристроїв у різних галузях промисловості, діапазон напруг від 100В до 9000В і струмів від 100А до 15000А, висока стійкість до термічних і електричних циклів, природне або примусове повітряне охолодження.

Технічні характеристики та параметри тиристора SKT 10/12E Semikron та заміни, аналога ATS10-12E, технічна специфікація PDF(даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на тиристори 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на тиристори силові залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики тиристора силового Semikron та його аналогів:

Технічні характеристики тиристора		SKT 10/12E
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_T(AV)M (T_C)	10 A (111ºC)
Повторювана імпульсна напруга у закритому стані; повторювана імпульсна зворотна напруга	V_DRM/V_RRM	1200 V
Ударний струм у відкритому стані	I_TSM	210 A
Захисний показник	I²t	220 A²·s
Порогова напруга тиристора у відкритому стані	V_T0	18.0 V
Динамічний опір	r_T	18.0 mΩ
Максимально допустима температура переходу	T_{vj max}	130 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	1.2000 K/W
Момент затягування	M_s	2.0 Nm
Вага	W	7 g
Корпус	тип	B1
Розміри	мм	20SW11M5
Аналог AS ENERGI^TM	тип	ATS10-12E
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування силового тиристора ATS10-12E:

–

A	–	AS ENERGI^TM
TS	–	Вид приладу: TD: Тиристор таблетковий TS: Тиристор штирьовий.
10	–	Середній струм у відкритому стані I_T(AV), ампер.
12	–	Клас за напругою V_RRM / 100 (Номінальна напруга - 600 В).
E	–	dv/dt клас: D: 500 V/µs E: 1000 V/µs

Розміри силового тиристора SKT 10/12E та його аналога ATS10-12E:

Корпус B1

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

info@asenergi.com

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Охолоджувачі для силових штирьових тиристорів:

Охолоджувачі (радіатори) використовуються для охолодження силових напівпровідникових приладів у корпусі штирьового типу.

Тепловідводи кулерів виготовлені з алюмінієвих радіаторних профілів і не потребують додаткового захисного покриття при використанні в різних кліматичних умовах.

Дивіться додаткову інформацію про охолоджувачі: "Охолоджувачі з повітряним охолодженням для штирьових пристроїв".

Фото силових тиристорів штирьового типу:

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.