Трифазний діодний міст SKD 31/02 (31А 200В) Semikron аналог

Номер артикулу Semikron	SKD 31/02
Вихідний постійний струм, I_D (T_C)	31А (100ºC)
Напруга, V_RRM	200 В
Розміри L×B×H	63x32x22 мм
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMD 31-02
Додати в кошик	на замовлення + –

Трифазний діодний міст AMD 31-02AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом напівпровідникового приладу для трифазних діодних мостів SKD 31/02 Semikron. Вихідний прямий струм I_D – 31 ампер, повторювана пікова зворотна напруга V_RRM – 200В.

На вхід "~" схеми подається змінний струм. У кожному з напівперіодів вхідний струм проходить тільки через два діоди. В результаті на виході "+" і "-" ми отримуємо струм, що пульсує з подвоєною частотою вхідного струму.

Особливості трифазних діодних мостів: низькі втрати при включенні; висока зворотна напруга і велика сила струму; міцна ізольована металева основа; швидкозатискні клеми з наконечниками для припою; високий ударний струм; підходить для хвильової пайки. Основні сфери застосування: джерело живлення постійного струму для транзисторних контролерів двигунів змінного струму; зарядні пристрої для акумуляторів; некерований двигун постійного струму з живленням від мережі; рекомендована мережа снабберів.

Three Phase Diode Bridges AS ENERGI^TM have the following features: industry standard housing; low static and dynamic losses, high values of V_RRM/V_RSM , extensive experience of using the devices in various industries.

Технічні характеристики та параметри діода SKD 31/02 Semikron та заміни, аналога AMD 31-02, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на діодні мости 2 роки з моменту придбання. При постачанні діодних мостів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на діодні мости залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики трифазного діодного моста Semikron та його аналога:

Технічні характеристики діодного моста		SKD 31/02
Прямий вихідний струм (температура корпусу)	I_D (T_C)	31 A (100ºC)
Повторювальна імпульсна зворотня напруга	V_RRM	200 V
Максимально допустимий діючий прямий струм	I_FSM	320 A
Час зворотнього відновлення	t_rr	- μs
Захисний показник	I²t	510 kA²·s
Порогова напруга	V_F(T0)	0.85 V
Напруга у відкритому стані	V_F	1.75 V
Прямий струм у відкритому стані	I_F	75 A
Динамічний опір у відкритому стані	r_T	12 mΩ
Температура переходу	T_{vj max}	125 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.33 K/kW
Момент затягування до охолоджувача	M_s ± 15%	2 Nm
Момент затягування до клем	M_t ± 15%	-
Вага	W	66 g
Корпус	тип	Package 1
Розміри	L×B×H	63x32x22 mm
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMD 31-02
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування трифазного діодного моста AMD 31-02:

A	–	AS ENERGI^TM
MD	–	Вид приладу: Трифазний діодний міст.
31	–	Прямий вихідний струм.
02	–	Клас за напругою V_RRM x 100.

Розміри діодного моста SKD 31/02 та його аналога AMD 31-02:

Корпус Package_1

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

info@asenergi.com

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.