SKB 30/12A1 - Однофазний діодний міст 30А 1200В Semikron аналог

Номер артикулу Semikron	SKB 30/12A1
Вихідний постійний струм, I_D (T_C)	30А (94ºC)
Напруга, V_RRM	1200 В
Розміри L×B×H	55x45x24 мм
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMB 30-12A1
Додати в кошик	на замовлення + –

Однофазний діодний міст AMB 30-12A1AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом напівпровідникового приладу для однофазних діодних мостів SKB 30/12A1 07122060 Semikron. Вихідний прямий струм I_D – 30 ампер, повторювана пікова зворотна напруга V_RRM – 1200В.

На вхід "~" схеми подається змінний струм. У кожному з напівперіодів вхідний струм проходить тільки через два діоди, в результаті чого на виході "+" і "-" ми отримуємо струм, що пульсує з подвоєною частотою вхідного струму.

Особливості однофазних діодних мостів: низькі втрати на виході; висока зворотна напруга і здатність витримувати великі струми; ізольований металевий корпус з гвинтовими контактами; високий ударний струм; простий монтаж корпусу. Основні застосування: однофазні випрямлячі для живлення; вхідні випрямлячі для частотно-регульованих приводів; випрямлячі для живлення двигунів постійного струму; випрямлячі для зарядки акумуляторів.

Однофазні діодні мости AS ENERGI^TM мають наступні особливості: стандартний корпус, низькі статичні та динамічні втрати, високі значення V_RRM/V_RSM, великий досвід використання пристроїв в різних галузях промисловості.

Технічні характеристики та параметри діода SKB 30/12A1 Semikron та заміни, аналога AMB 30-12A1, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наша компанія надає гарантію роботи на діодні мости 2 роки з моменту придбання. При постачанні діодних мостів, за необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на діодні мости залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики однофазного діодного моста Semikron та його аналога:

Технічні характеристики діодного моста		SKB 30/12A1
Прямий вихідний струм (температура корпусу)	I_D (T_C)	30 A (94ºC)
Повторювальна імпульсна зворотня напруга	V_RRM	1200 V
Максимально допустимий діючий прямий струм	I_FSM	320 A
Час зворотнього відновлення	t_rr	25 μs
Захисний показник	I²t	500 kA²·s
Порогова напруга	V_F(T0)	0.85 V
Напруга у відкритому стані	V_F	2.2 V
Прямий струм у відкритому стані	I_F	150 A
Динамічний опір у відкритому стані	r_T	12 mΩ
Температура переходу	T_{vj max}	150 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.7 K/W
Момент затягування до охолоджувача	M_s ± 15%	5 Nm
Момент затягування до клем	M_t ± 15%	1.5 Nm
Вага	W	125 g
Корпус	тип	G12
Розміри	L×B×H	55x45x24 mm
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMB 30-12A1
Даташит (інформаційний лист)	PDF

Розшифровка маркування однофазного діодного моста AMB 30-12A1:

A	–	AS ENERGI^TM
MB	–	Вид приладу: Однофазний діодний міст.
30	–	Прямий вихідний струм.
12	–	Клас за напругою V_RRM x 100.

Розміри діодного моста SKB 30/12A1 та його аналога AMB 30-12A1:

G12

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.