Павло ГоркунТиристорний модуль VS-VSKT142/16PBF (140А 1600В) Vishay аналог
| Номер артикулу Vishay | VS-VSKT142/16PBF |
| Середній струм, IT(AV) (TC) | 140A (85ºC) |
| Напруга, VRRM | 1600В |
| Корпус, Розміри L×B×H | INT-A-PAK 94x35x37 мм |
| Даташит PDF |  |
| Аналог AS ENERGITM | ASMTKT142/16PBF |
| Додати в кошик | на замовлення
+
–
|
Тиристорний двопозиційний модуль ASMTKT142/16PBF AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом тиристорного модуля VS-VSKT142/16PBF Vishay Semiconductors.
Середній прямий струм ITAV – 140 ампер, повторювана пікова зворотна напруга VRRM – 1600В. Двопозиційний модуль тиристор-тиристор має електричну схему напівміст (спільний анод-катод).
Тиристорні модулі характеризуються високою електричною і тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Тиристорні модулі розміщені в стандартному корпусі, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.
Двопозиційні тиристорні модулі використовуються в різному силовому обладнанні - силові та керуючі блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.
Технічні характеристики та параметри тиристорного модуля VS-VSKT142/16PBF Vishay та заміни, аналога ASMTKT142/16PBF, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наша компанія надає гарантію роботи на двопозиційні і однопозиційні тиристорні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на двопозиційні і однопозиційні тиристорні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики тиристорного модуля VS-VSKT142/16PBF Vishay та аналога ASMTKT142/16PBF:
| Технічні характеристики тиристорного модуля | VS-VSKT142/16PBF | |
| Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | ITAV (Tcase) | 140 A (85ºC) |
| Повторювана імпульсна зворотна напруга | VRRM | 1600 V |
| Ударний струм у відкритому стані | ITSM | 4500 A |
| Максимально допустимий середній струм у відкритому стані | IT(RMS) | 310 A |
| Захисний показник | I2t | 102 kA2·s |
| Порогова напруга у відкритому стані | VT(TO) | 1 V |
| Імпульсна напруга у відкритому стані | VTM | 1.55 V |
| Імпульсний струм у відкритому стані | ITM | 440 A |
| Динамічний опір у відкритому стані | rT | 1.43 mΩ |
| Температура переходу | Tvj max | 125 ºC |
| Тепловий опір перехід-корпус | Rth(j-c) | 0.0019 K/W |
| Конструкція (виконання) | - | двопозиційний |
| Тип (електрична схема) | - | тиристор-тиристор |
| Вага | W | 200 g |
| Корпус, Розміри, мм | L×B×H | INT-A-PAK 94x35x37 mm |
| Аналог AS ENERGITM | тип | ASMTKT142/16PBF |
| Даташит (інформаційний лист) | |
|
Розшифровка маркування тиристорного модуля ASMTKT142/16PBF:
| AS | MT | K | T | 142 | / | 16 | PBF |
| AS | – |  AS ENERGITM |
| MT | – | Вид приладу: Тиристорний модуль. |
| K | – | Напівпровідниковий тип: Модуль. |
| T | – | Топологія схеми: схема на двох тиристорах (напівміст). |
| 142 | – | Середній струм у відкритому стані: IT(AV) округлено, ампер. |
| 16 | – | Клас за напругою x 100 = VRRM. |
| PbF | – | Не містить свинцю (Pb). |
Розміри тиристорного модуля VS-VSKT142/16PBF та його аналога ASMTKT142/16PBF:
INT-A-PAK
Силові напівпровідникові прилади AS ENERGITM
Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
info@asenergi.com
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти:
