Тиристорно-діодний модуль TD430N22KOF (430А 2200В) Infineon аналог
Номер артикулу Infineon | TD430N22KOF |
Середній струм, IT(AV)M/IF(AV)M (TC) | 430А (85ºC) |
Напруга, VRRM | 2200V |
Корпус, Розміри L×B×H | TP60A 150x60x52 мм |
Даташит PDF | |
Аналог AS ENERGITM | AMTD430N22KOF |
Додати в кошик | на замовлення |
Тиристорно-діодний модуль AMTD430N22KOF AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом тиристорно-діодного модуля TD430N22KOF Infineon (Інфініон) Technologies. Середній прямий струм IFAV – 430 ампер, овторювана пікова зворотна напруга VRRM – 2200В. Розмір основи модуля 60x124 мм.
Основні (силові) клеми знаходяться у верхній частині корпусу і позначені як 1, 2, 3 (загальний анод-катод, катод, анод). Клеми керування позначені як 4 (G1), 5 (K1).
Двопозиційні тиристорно-діодні модулі мають напівмостову схему ввімкнення (спільний анод-катод).
Тиристорно-діодні модулі характеризуються високою здатністю до електричної та теплової циклічності, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Тиристорні, діодні модулі розміщені в корпусі промислового стандарту, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.
Подвійні тиристорно-діодні модулі використовуються в різному силовому обладнанні – силові та керуючі блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.
Технічні характеристики та параметри тиристорно-діодного модуля TD430N, TD430N22KOF Infineon та заміни, аналога AMTD430N22KOF, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.
Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового керування або випрямлячів.
Наша компанія надає гарантію роботи на тиристорні / діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на тиристорні / діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики тиристорно-діодного модуля TD430N22KOF Infineon та його аналога:
Технічні характеристики тиристорно-діодного модуля | TD430N22KOF | |
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | ITAV/IFAV (Tcase) | 430 A (85ºC) |
Повторювана імпульсна зворотна напруга; повторювана імпульсна напруга у закритому стані | VRRM/VDRM | 2200 V |
Ударний струм у відкритому стані | ITSM/IFSM | 12000 А |
Захисний показник | I2t | 1051 kA2·s |
Порогова напруга у відкритому стані | V(TO) | 0.95 V |
Динамічний опір | rT | 0.45 mΩ |
Максимально допустима температура переходу | Tvj max | 125 ºC |
Тепловий опір перехід-корпус | Rth(j-c) | 0.065 K/W |
Конструкція (виконання) | - | двопозиційний |
Тип (електрична схема) | - | тиристор-діод |
Вага | W | 1.5 kg |
Корпус, Розміри, mm | L×B×H | TP60A 150x60x52 mm |
Аналог AS ENERGITM | тип | AMTD430N22KOF |
Даташит (інформаційний лист) |
Розшифровка маркування тиристорно-діодних модулів:
A | M | TD | 430 | N | 22 | S | O | F |
A | – | AS ENERGITM |
M | – | Вид приладу: Модуль. |
TD | – | Топологія електричного ланцюгу: Тиристор-Діод. |
430 | – | Середній струм у відкритому стані IT(AV), ампер. |
N | – | Загального призначення. |
22 | – | Клас за напругою VRRM / 100. |
S | – | Механічна конструкція: K – технологія притискного контакту S – технологія пайки |
O | – | Час вимкнення tq: не нормується. |
F | – | Клас по швидкості зростання напруги в закритому стані dv/dt:: F = 1000 V/μs |
Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI
Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти: