Діодний модуль SKKE 310F12 Semikron аналог

Номер артикулу Semikron	SKKE 310F12
Середній струм, I_TAV/I_FAV (T_case)	310А (85ºC)
Напруга, V_RRM/V_DRM	1200В
Корпус Розміри L×B×H	Package 2 94x34x30
Даташит PDF
Аналог AS ENERGI^TM	AMKE310-F12
Даташит PDF AS ENERGI^TM
Додати в кошик	на замовлення + –

Швидкодіючі Діодний модуль AMKE310-F12 AS ENERGI^TM є заміною, аналогом, альтернативою, еквівалентним напівпровідниковим пристроєм для модуля SKKE 310F12 Semikron. Модуль AMKE310-F12 - це однопозиційний діодний модуль в Package 2.

Діодний модуль характеризуються високою електричною та тепловою циклічністю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Діодний модуль розміщений в корпусі промислового стандарту, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.

Діодний модуль SKKE 310F12 застосовується в різному силовому обладнанні - силові та керуючі блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.

Технічні характеристики та параметри модуля SKKE 310F12 Semikron та заміни, аналога AMKE310-F12, технічна специфікація PDF (даташит ПДФ), розміри, креслення наведені нижче.

Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового регулювання або випрямлячів.

Наша компанія надає гарантію роботи на діодні 2 роки з моменту придбання. При постачанні діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.

Остаточна ціна на модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.

Загальні характеристики модуля SKKE 310F12 та аналога AMKE310-F12:

Технічні характеристики модуля		SKKE 310F12
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу)	I_TAV/I_FAV (T_case)	310 A
Повторювана імпульсна зворотна напруга; Повторювальна імпульсна напруга в закритому стані	V_RRM/V_DRM	1200 V
Ударний прямий струм у відкритому стані	I_TSM/I_FSM	5500 A
Захисний показник	I²t	151000 A²·s
Порогова напруга у відкритому стані	V_T(TO)	1.20 V
Динамічний опір	r_T	1.9 mΩ
Максимально допустима температура переходу	T_{vj max}	150 ºC
Тепловий опір перехід-корпус	R_th(j-c)	0.080 ºC/W
Вага	W	250 g
Корпус Розміри, мм	L×B×H	Package 2 94x34x30
Аналог AS ENERGI^TM	тип	AMKE310-F12
Даташит (інформаційний лист)	PDF
Даташит AS ENERGI^TM	PDF

Розшифровка маркування модуля AMKE310-F12:

310

–

A	–	AS ENERGI^TM
M	–	Напівпровідниковий тип: Модуль.
KE	–	Топологія внутрішнього з'єднання: KE: Один діод.
310	–	Номінальний струм (I_TAV), A.
F	–	Швидкодіючі діодні модулі
12	–	Клас за напругою (V_RRM/100).

Розміри модуля SKKE 310F12 та аналога AMKE310-F12:

Package 2

Принципова схема модуля SKKE 310F12 та аналога AMKE310-F12:

Даташит модуля AMKE310-F12:

Завантажити технічний паспорт на модуль AMKE310-F12

Напівпровідники високої потужності AS ENERGI^TM

Наша компанія займається виробництвом і постачанням широкого спектру силових напівпровідникових приладів (силові тиристори, модулі, випрямні діоди, лавинні, роторні та зварювальні діоди, симістори та ін.) струмом до 15000А і напругою до 9000В, а також повітряних і водяних охолоджувачів до них.
Ви можете купити напівпровідникові прилади в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою. Нам довіряють клієнти і ми поставляємо продукцію по всьому світу.

З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:

[email protected]

І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!

Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.

Фотогалерея

У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGI^TM, приклади звітів про випробування.

Дивіться більше фотографій

Чому варто обрати AS ENERGI^TM

Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки

Гарантія якості

Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.

Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.

Географія партнерства

AS ENERGI^TM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.

Логістика та доставка

Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.

Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".

AS ENERGI^TM Виробництво напівпровідників

Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.

Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.