Thyristor Module Semikron SKKT 42B/12E and Replacement
Semikron Product Type | SKKT 42B/12E |
Average forward current, ITAV/IFAV (Tcase) | 40A (85ºC) |
Voltage, VRRM/VDRM | 1200V |
Circuit | |
Package, Dimensions L×B×H | SEMIPACK 1 93x20x30 |
Datasheet | |
Replacement AS ENERGITM | AMKT 42B-12E |
Add to Cart | на замовлення |
Module Semikron SKKT 42B/12E is a dual thyristor SCR module in a standard housing SEMIPACK 1.
Thyristor module AMKT 42B-12E AS ENERGITM is a replacement, analogue, alternative and equivalent semiconductor device for SCR module SKKT 42B/12E Semikron.
The thyristor modules are characterized by high electrical and thermal cycling capability, meaning high reliability and long lifetime in intensive operation modes. The thyristor modules are housed in a industry-standard housing making it easy to integrate the device into existing equipment.
The main (power) terminals are on the top of the case and are marked as 1, 2, 3 (common anode-cathode, cathode, anode). The control terminals are marked as K1, G1, K2, G2.
Dual thyristor modules are used in various power equipment - power and control units, power regulators, AC regulators, DC motors control, AC motor soft starters, converters, controllers of blast furnaces or chemical processes, welding equipment, and as rectifiers for AC converters.
Our modules are offered in several dual and single device topologies for almost all phase control or rectifier applications.
Our company provides a quality guarantee for thyristor / diode modules of 2 years from the date of purchase. When supplying thyristor / diode modules, if necessary, we provide technical passport and certificate of conformity.
The final price for thyristor / diode modules depends on the class, quantity, delivery terms, manufacturer, country of origin and form of payment.
General specifications of Thyristor Module SKKT 42B/12E and Replacements:
Thyristor module specifications | SKKT 42B/12E | |
Maximum allowable average forward current (Case temperature) | ITAV/IFAV (Tcase) | 40 A (85ºC) |
Repetitive pulsed reverse voltage; Repetitive pulsed closed state voltage | VRRM/VDRM | 1200 V |
Surge on-state current | ITSM/IFSM | 850 A |
Safety factor | I2t | 3.6 kA2·s |
Threshold voltage | VT(TO) | 1.00 V |
On-state slope resistance | rT | 4.5 mΩ |
Turn-off time max | tq | 80 µs |
Junction temperature | Tvj max | 125 ºC |
Thermal resistance, junction to case | Rth(j-c) | 0.69 ºC/W |
Design (switches) | - | dual component |
Type (circuit diagram) | - | thyristor-thyristor |
Weight | W | 95 g |
Package, Dimensions, mm | L×B×H | SEMIPACK 1 93x20x30 |
Replacement AS ENERGITM | type | AMKT 42B-12E |
Datasheet |
Part numbering guide for thyristor–thyristor modules AMKT:
A | M | KT | 42 | B | – | 12 | E |
A | – | AS ENERGITM |
M | – | Semiconductor Type: Module. |
KT | – | Topology of internal connection: Thyristor–Thyristor. |
42 | – | Rated current (ITAV), A. |
B | – | Option of another numbering of the control pins: "6" – HK2; "7" – G2. |
12 | – | Voltage class (VRRM/100). |
E | – | dv/dt class: D: 500 V/µs E: 1000 V/µs G: 2000 V/µs |
Possible alternatives, replacements, analogue, equivalent products:
List of series of power thyristor modules with similar parameters and housing sizes.
Series | ITAV/IFAV (Tcase) | VRRM/VDRM | Topology | Dimensions, mm | Package | Datasheet |
SKKT 42B/12E | 40 A (85ºC) | 1200 V | thyristor-thyristor | 93x20x30 | 1 | |
AMKT 42B-12E | 40 A (85ºC) | 1200 V | thyristor-thyristor | 93x20x30 | 1 |
High Power Semiconductors AS ENERGITM
Our company is engaged in the manufacturer and sale of wide range of power semiconductors (power thyristors, modules, rectifier diodes, avalanche, rotor and welding diodes, triacs etc.) currents up to 15000A and voltages to 9000V, and air and water heatsinks to them.
You can buy semiconductor devices in any volumes, and when ordering large lots, the price will be lower. We have earned the trust of customers and supply products all over the world.
For questions regarding the acquisition of Power Modules, Diodes, Thyristors, send an email request to:
And we will provide you a commercial offer for delivery.
For a large number, we will provide an individual price!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти: