Діодний модуль VS-T110HF80 (110А 800В) Vishay аналог
Номер артикулу Vishay | VS-T110HF80 |
Середній струм, IF(AV) (TC) | 110A (85ºC) |
Напруга, VRRM | 800В |
Корпус, Розміри L×B×H | D-55 41x27x26 мм |
Даташит PDF | |
Аналог AS ENERGITM | ASMDT110HF80 |
Додати в кошик | на замовлення |
Діодний модуль ASMDT110HF80 AS ENERGITM є заміною, аналогом, альтернативою та еквівалентом діодного модуля VS-T110HF80 Vishay Semiconductors.
Середній прямий струм IFAV – 110 ампер, повторювана пікова зворотна напруга VRRM – 800В. Внутрішня електрична схема модуля ASMDT110HF80 являє собою один діод.
Діодні модулі характеризуються високою електричною та тепловою стійкістю, що означає високу надійність і тривалий термін служби в інтенсивних режимах експлуатації. Діодні модулі розміщені в корпусі промислового стандарту, що дозволяє легко інтегрувати пристрій в існуюче обладнання.
Одиночні діодні модулі використовуються в різному енергетичному обладнанні - силові та контрольні блоки, регулятори потужності, регулятори змінного струму, керування двигунами постійного струму, пристрої плавного пуску двигунів змінного струму, перетворювачі, контролери доменних печей або хімічних процесів, зварювальне обладнання, а також в якості випрямлячів для перетворювачів змінного струму.
Наші модулі пропонуються в декількох топологіях з двома та одним пристроєм для майже всіх застосувань фазового регулювання або випрямлячів.
Наша компанія надає гарантію роботи на діодні модулі 2 роки з моменту придбання. При постачанні тиристорних / діодних модулів, при необхідності, надаємо технічний паспорт і сертифікат відповідності.
Остаточна ціна на діодні модулі залежить від класу напруги, кількості, умов поставки, виробника, країни походження та форми оплати.
Загальні характеристики діодного модуля VS-T110HF80 Vishay та аналога ASMDT110HF80:
Технічні характеристики діодного модуля | VS-T110HF80 | |
Максимально допустимий середній прямий струм (температура корпусу) | IFAV (Tcase) | 110 A (85ºC) |
Повторювана імпульсна зворотна напруга | VRRM | 800 V |
Ударний прямий струм у відкритому стані | IFSM | 2000 A |
Максимально допустимий середній струм у відкритому стані | IF(RMS) | 173 A |
Захисний показник | I2t | 20.5 kA2·s |
Порогова напруга у відкритому стані | VT(TO) | 0.86 V |
Імпульсна пряма напруга | VFM | 1.35 V |
Ударний прямий струм у відкритому стані | IFM | 345 A |
Динамічний опір | rT | 1.12 mΩ |
Максимально допустима температура переходу | Tvj max | 150 ºC |
Тепловий опір перехід-корпус | Rth(j-c) | 0.05 K/W |
Конструкція (виконання) | - | single component |
Тип (електрична схема) | - | single diode |
Вага | W | 54 g |
Корпус, Розміри, мм | L×B×H | D-55 41x27x26 mm |
Аналог AS ENERGITM | тип | ASMDT110HF80 |
Даташит (інформаційний лист) |
Розшифровка маркування діодного модуля ASMDT110HF80:
AS | MD | T | 110 | HF | 80 |
AS | – | AS ENERGITM |
MD | – | Вид приладу: Діодний модуль. |
T | – | Напівпровідниковий тип: Модуль. |
110 | – | Показник струму. |
HF | – | Конфігурація схеми: одинарний діод. |
80 | – | Клас за напругою x 10 = VRRM. |
Силові напівпровідникові прилади AS ENERGI
Компанія виробляє широкий спектр силових напівпровідників (тиристори, діоди, модулі).
Ви можете купити у нас тиристорні модулі в будь-яких обсягах, а при замовленні великих партій ціна буде нижчою.
Нам довіряють клієнти і ми постачаємо продукцію по всьому світу.
З питань придбання силових тиристорів, діодів, модулів надсилайте запит на електронну пошту:
І ми надамо вам комерційну пропозицію на поставку.
Для великої кількості ми надамо індивідуальну ціну!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти: