Fast Recovery Diode M3770ZD300 IXYS Westcode Replacement
IXYS Westcode Part Number | M3770ZD300 |
Average forward current, IF(AV)M (TC) | 3770A (55ºC) |
Voltage, VRRM | 3000 V |
Package, Dimensions ØDxØdxH | Package W42 110x73x26 mm |
Datasheet | |
Replacement AS ENERGITM | ADDM3770ZD300 |
Add to Cart | на замовлення |
Fast Recovery Diode ADDM3770ZD300 AS ENERGITM is a replacement, analogue, alternative and equivalent semiconductor device for standard fast recovery discrete diode M3770ZD300 IXYS UK Westcode, Littelfuse.
Average forward current IFAV – 3770 ampere, repetitive peak reverse voltage VRRM – 3000V.
Features: class-leading performance and reliability; optimised for line frequency; low on-state losses; high reverse voltage and high current handling capabilities, high surge capability. Fast Recovery Diodes are particularly suitable for use as anti-parallel diodes used in Gate Turn-Off and Fast Thyristor inverters and as diodes for choppers.
"Air-cooled heatsinks O series for disc devices", "Air heatsink SF series", "Water heatsink SS series" for thyristors and diodes cooling are also available to order.
Rectifier Diodes AS ENERGITM have the following features: industry standard housing; low static and dynamic losses, high values of VRRM/VRSM, extensive experience of using the devices in various industries, range of voltages from 100 to 9000 V and amperages from 10 to 15000 A, high resistance to thermal and electric cycling.
The technical specifications and parameters of M3770ZD300 and replacement ADDM3770ZD300, datasheet PDF, outline drawing and dimensions are listed below.
Our company provides a quality guarantee for fast recovery diodes of 2 years from the date of purchase. When supplying diodes, if necessary, we provide technical passport and certificate of conformity.
The final price for fast recovery diodes depends on the voltage class, quantity, delivery terms, manufacturer, country of origin and form of payment.
General specifications of Fast Recovery Diode IXYS WESTCODE and Replacements:
Diode specifications | M3770ZD300 | |
Maximum allowable average forward current (Case temperature) | IF(AV)M (TC) | 3770 A (55ºC) |
Max. repetitive peak reverse blocking voltage | VRRM | 3000 V |
Surge peak forward current | IFSM | 44000 A |
Safety factor | I2t | 9.68x106 A2·s |
Reverse recovery time | trr | 7.00 µs |
Recovered charge | Qrr | 2000 µC |
Forward current | IFM | 1000 A |
Critical rate of rise of forward current | -diF/dt | 60 A/µs |
Threshold voltage | VT0 | 1.190 V |
Slope resistance | rT | 0.118 mΩ |
Temperature of p-n junction | Tvj max | 150 ºC |
Thermal resistance, junction to heatsink | RthJK | 0.0110 K/W |
Clamping force | Fm | 27 - 47 kN |
Weight | W | 1.2 kg |
Package (Housing) | type | W42 |
Dimensions | ØDxØdxH | 110x73x26 mm |
Replacement AS ENERGITM | type | ADDM3770ZD300 |
Datasheet |
Part Numbering Guide for Fast Recovery Diodes:
A | DDM | 3770 | ZD | 30 | 0 |
A | – | AS ENERGITM |
DDM | – | Product group: Diode Disc type, Fast Recovery Diode. |
3770 | – | Average forward current IF(AV), Amp. |
ZD | – | Housing (package) type. |
30 | – | Voltage class VRRM / 100. |
0 | – | Fixed code. |
Dimensions of Fast Recovery Diode M3770ZD300 and Replacement ADDM3770ZD300:
Polarity (anode, cathode) of power rectifier disc diodes:
High Power Semiconductors AS ENERGITM
Our company is engaged in the manufacturer and sale of wide range of power semiconductors (power thyristors, modules, rectifier diodes, avalanche, rotor and welding diodes, triacs etc.) currents up to 15000A and voltages to 9000V, and air and water heatsinks to them.
You can buy semiconductor devices in any volumes, and when ordering large lots, the price will be lower. We have earned the trust of customers and supply products all over the world.
For questions regarding the acquisition of Power Thyristors, Diodes, Modules send an email request to:
And we will provide you a commercial offer for delivery.
For a large number, we will provide an individual price!!!
Ми відкриті для виробництва продукції на наших виробничих потужностях
відповідно до ваших запитів та технічного завдання.
Фотогалерея
У фотогалереї показано багато різних напівпровідникових приладів, напівпровідникових чіпів, вироблених AS ENERGITM, приклади звітів про випробування.
Heat sinks for power rectifier disc diodes:
Heat sinks (radiators) are used for single- and double-sided cooling of power semiconductor devices in disc design.
Heat sinks of coolers are made of aluminum radiator profiles and do not require additional protective coating when used in various climatic conditions.
Air and water heat sinks for rectifier diode cooling are also available to order.
See for more information about heatsinks: "Air-cooled heatsinks O series for disc devices", "Air heatsink SF series", "Water heatsink SS series".
Photo of Rectifier Diodes:
Чому варто обрати AS ENERGITM
- Власні виробничі потужності, включаючи виробництво напівпровідникових кремнієвих чіпів
- Європейський бренд – 100% якість, вигідна ціна, короткі терміни виробництва
- Понад 20 років досвіду в напівпровідниковій промисловості
- Нам довіряють клієнти з понад 50 країн світу
- 20000 позицій в асортименті на струми від 10А до 15000А, напругу від 100В до 9000В
- Виготовляємо аналоги продукції інших виробників
- Гарантована сертифікована якість, гарантійний термін експлуатації – 2 роки
Гарантія якості
Наша продукція сертифікована і відповідає міжнародним стандартам.
Наша компанія надає гарантію якості на продукцію 2 роки.
Надаємо сертифікати відповідності, протоколи випробувань, даташити (технічні специфікації) та паспорти якості на вимогу замовника.
Кожен продукт тестується за основними параметрами, а також надаються протоколи випробувань (звіти про тестування) параметрів для кожного продукту.
Географія партнерства
AS ENERGITM компанія виробляє і постачає силові напівпровідники в більш ніж 50 країн світу.
Логістика та доставка
Ми доставляємо нашу продукцію по всьому світу за допомогою логістичних компаній: DHL, TNT, UPS, EMS, Fedex, Aramex.
Продукція може бути доставлена будь-яким видом транспорту: повітряним, морським, залізничним та автомобільним.
Доставка по Україні здійснюється на будь-яке відділення "Нової Пошти" або кур'єром сервісу "Нова Пошта".
AS ENERGITM Виробництво напівпровідників
Асортимент нашої продукції включає випрямляючі діоди, тиристори фазового регулювання в таблетковому і штирьовому виконанні, лавинні діоди і тиристори, швидкодіючі, високочастотні тиристори, швидко відновлювані, зварювальні і роторні діоди, симістори, мостові випрямлячі, силові модулі (тиристорні, діодні, тиристорно-діодні, IGBT), а також повітряні і водяні охолоджувачі до них.
Силові діоди і тиристори виробляються на струми від 10А до 15000А, діапазон напруг від 100В до 9000В.
Силові діодні та тиристорні модулі виробляються від 25А і до 1250А, діапазон напруг 400В – 4400В.
Асортимент силових напівпровідників також включає еквівалентні та альтернативні напівпровідникові прилади світових виробників.
Рекомендовані продукти: